浙江大学电气工程学院 电力电子技术基础 §5-2单结晶体管移相触发电路 U。<mUmb: VD反偏、截止 7Ub+UD>U≥1b:VD正偏、但<U。,仍截止 e≥Ub+Ub VD正偏、导通 P区空穴→N区使N区载流子增加阻值↓ Rn→U4=mU→PN结正偏个→l个 实际上U。=E-1R2,个→U。但U较大,PN结正偏↑ 5-电力电子技术基础- 5 §5-2 单结晶体管移相触发电路 Ue  Ubb ∶ VD反偏、截止 Ubb UD  Ue Ubb∶ VD正偏、但<UD，仍截止 Ue Ubb UD ∶ VD正偏、导通 P区空穴 N区,使N区载流子增加,阻值 Rb1  U A  Ubb  PN结正偏  I e  实际上 e e e e e Ue A U  E  I R ,I  ,但U 较大， PN结正偏↑