浙江大学电气工程学院 电力电子技术基础 §5-2单结晶体管移相触发电路 峰点P:I管子导通最小电流 谷点V:U维持导通最小发射极电压 I个→空穴过剩→R个→U。↑ 正阻特性,饱和区 选η,Ⅳ较大,Uv较小的单结晶体管,使输出脉冲幅值 大,调节电压范围大。 6-电力电子技术基础- 6 §5-2 单结晶体管移相触发电路 峰点P: IP管子导通最小电流 谷点V: UV维持导通最小发射极电压 正阻特性，饱和区 I e  空穴过剩  Rb1  Ue  选η，Iv较大，Uv较小的单结晶体管，使输出脉冲幅值 大，调节电压范围大