PN结成为探测器的条件(重点) 1)半导体材料电阻率足够高,杂质和缺陷少。 满足载流子寿命的要求,减小PN结电 容,改善探测器噪声 2)外加合适的反向电压 便合和停损失,电荷要注意:反向电压和电阻率不 使结电容变小,减少香则会使漏电流增加,噪声性 探测器噪声; 能变差。 c增加灵敏区厚度。 3)漏电流要足够小 降低工作温度减小体电流,改进表面工艺 减小表面漏电流等。PN结成为探测器的条件（重点） 2) 外加合适的反向电压； . c. a         电场增强，减少 复合和俘获损失，电荷 收集完全； b.使PN结电容变小，减少 探测器噪声； 增加灵敏区厚度。 1) 半导体材料电阻率足够高，杂质和缺陷少。 3) 漏电流要足够小 满足载流子寿命的要求，减小PN结电 容，改善探测器噪声 降低工作温度减小体电流，改进表面工艺 减小表面漏电流等。 要注意：反向电压和电阻率不 是越高越好，满足要求即可， 否则会使漏电流增加，噪声性 能变差