成为半导体探测器的条件(重点) ·无核辐射入射时,灵敏区内载流子数目少,即漏电流小; ·核辐射能在灵敏区内产生电子空穴对,即能产生载流子; ·载流子寿命足够长,在一定电场下产生的载流子均能被收 集,要求半导体材料晶格缺陷和杂质少,即电阻率足够高 加了反向电压的PN结,是最早发展成熟并获得广泛应 用的半导体探测器。成为半导体探测器的条件（重点） • 无核辐射入射时，灵敏区内载流子数目少，即漏电流小； • 核辐射能在灵敏区内产生电子空穴对，即能产生载流子； • 载流子寿命足够长，在一定电场下产生的载流子均能被收 集，要求半导体材料晶格缺陷和杂质少，即电阻率足够高。 加了反向电压的PN结，是最早发展成熟并获得广泛应 用的半导体探测器