模拟电子技术基础电子教案 第一章常用半导体器件主要授课内容 备注 0呢 二、晶体管的电流分配关系 E= lEN +IEP= Ic+ IB+ Iep 三、晶体管的共射电流放大系数 Io与Ig之比称为电流放大倍数 LSI Ic=BlB+(+B)lcBo=Bl8+IcEO Ic=blB (1+B 要使三极管能放大电流,必须使发射结正偏,集电结反偏。称为外部条件 晶体管的共基电流放大系数 xIx+I≈al B 或a= B 1+ B模拟电子技术基础 电子教案 - 9 - 第一章 常用半导体器件 主要授课内容 备 注 二、晶体管的电流分配关系 IE= IEN +IEP= ICN+ IBN+ IEP IB= IBN +IEP-ICBOIBE IC=ICN+ICBO ICN IE= IB +IC 三、晶体管的共射电流放大系数 ICN与 IB ′之比称为电流放大倍数 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。称为外部条件。 晶体管的共基电流放大系数 B C B CBO C CBO B CN I I I I I I I I        C B CBO B CEO I  I  (1  )I  I  I C B I  I E B I  (1  )I E CN I I   C E CBO E I  I  I  I          1 1 或 ＝ B C i i     E C i i    