模拟电子技术基础电子教案 第一章常用半导体器件主要授课内容 备注 「1.3.3晶体管的共射特性曲线 输入特性曲线 二、输出特性曲线 饱和区 区 截止区 出特性三个区域的特点: 1)放大区:发射结正偏,集电结反偏。即:IeβIB 且△Ic=阝△IB (2)饱和区:发射结正偏,集电结正偏。即 UCE<UBE,βIB>Ic,Ue≈0. (3)截止区:发射结反偏,集电结反偏。即:U<死 区电压,I=0,Ic=Ic00 三、应用举例 1.16电路如图P1.16所示,晶体管导通时UBE=0.7V,B=50。试分析VBB为0V IV、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压u0的值 解:(1)当VB=0时,T截止,u0=12V。 (2)当VB=1V时,因为 60uA Ico =bibo =3mA RD Vec -loor=9v lo=vc 所以T处于放大状态 (3)当VBB=3V时,因为 Vnn-U 60HA RD 所以T处于饱和状态 IcrC<U模拟电子技术基础 电子教案 - 10 - 第一章 常用半导体器件 主要授课内容 备 注 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 一、输入特性曲线 二、输出特性曲线 输出特性三个区域的特点: (1)放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB , 且 IC =  IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即： UCEUBE ，IB>IC，UCE0.3V (3) 截止区：发射结反偏，集电结反偏。即：UBE< 死 区电压，IB=0，IC=ICEO0 三、应用举例 1.16 电路如图 P1.16 所示，晶体管导通时 UBE＝0.7V，β=50。试分析 VBB 为 0V、 1V、1.5V 三种情况下 T 的工作状态及输出电压 uO 的值。 解：（1）当 VBB＝0 时，T 截止，uO＝12V。 （2）当 VBB＝1V 时，因为 60 b BB BEQ BQ    R V U I μA 9V 3mA O CC CQ C CQ BQ      u V I R I  I 所以 T 处于放大状态。 （3）当 VBB＝3V 时，因为 160 b BB BEQ BQ    R V U I μA O CQ C BE CQ BQ 8mA u V I R U I I  CC  ＜    所以 T 处于饱和状态