模拟电子技术基础电子教案 第一章常用半导体器件主要授课内容 备注 1.3.4晶体管的主要参数 1.电流放大倍数和B B 2.集-基极反向截止电流Ico 3.集-射极反向截止电流LCEO 4集电极最大电流ICM 集电极电流I上升会导致三极管的β值的下降,当β值下降到正常值的三分之 二时的集电极电流即为ICM 5.集-射极反向击穿电压 当集-—射极之间的电压LE超过一定的数值时,三极管就会被击穿。手册上给 出的数值是25°C、基极开路时的击穿电压( BR)CEO 6.集电极最大允许功耗PcM 7.特征频率斤 电流放大系数下降到1时的信号频率称为特征频率1.3.5温度对晶体管特性及 参数的影响 1.3.5温度对晶体管特性及参数的影响 温度对ICBO的影响 实验证明,温度每升高10℃,lcBo增加约一倍;反之,当温度降低时IB0减小 另外,硅管比锗管受温度的影响要小得多。 二、温度对输入特性的影响 实验证明,温度每升高1℃,lg大约下降2~2.5mV。对特性曲线的影响如图 1.3.8所示 三、温度对输出特性的影响 Ig3模拟电子技术基础 电子教案 - 11 - 第一章 常用半导体器件 主要授课内容 备 注 1.3.4 晶体管的主要参数 1. 电流放大倍数  和  2.集-基极反向截止电流 ICBO 3. 集-射极反向截止电流 ICEO 4.集电极最大电流 ICM 集电极电流 IC 上升会导致三极管的  值的下降，当  值下降到正常值的三分之 二时的集电极电流即为 ICM。 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压 UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给 出的数值是 25C、基极开路时的击穿电压 U(BR)CEO。 6. 集电极最大允许功耗 PCM 7. 特征频率 fT 电流放大系数下降到 1 时的信号频率称为特征频率 1.3.5 温度对晶体管特性及 参数的影响 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 一、温度对 ICBO 的影响 实验证明，温度每升高 10℃， ICBO 增加约一倍；反之，当温度降低时 ICBO 减小。 另外，硅管比锗管受温度的影响要小得多。 二、温度对输入特性的影响 实验证明，温度每升高 1℃， uBE 大约下降 2～2.5mV。对特性曲线的影响如图 1.3.8 所示。 三、温度对输出特性的影响 B C I I  ___  IB IC    