三、 Compounds +3]oS (1)Oxides Gazo Into 2O3 稳定性减弱,氧化性增强,碱性增强 O3==12O+O2 M2O3 (s)+6HCI(aq) MCI3 (aq)+ 3H2O() △Gim(kJ-mol-) Ga(OH)3为两性氧化物,Ga2O3与A2O3结构相似 Ga(OH)3+ 30H-[Ga(OH)6] Ga(OH)3能溶于氨水,但AOH)3不能 (2) sulfides:Ga2S3(黄色)彻底水解 GaS3+6H2O=2Ga(OH)3↓+3H2S↑ 112S3不存在:2TCl3+3Na2S=m2S↓+2S↓+6NaCl In2S3(红色)可溶于(NH4)2S或MS中 (3) Halides:T3Br和T+l3都不存在室温下只有TF3、TCl 显然T3+3I II+12 2.[+1]O.S 1)Ga和In的+1氧化态不稳定,是强还原剂 3Ga20- Ga2O3+4Ga 3Ga2S- Ga2 S3+ 4Ga 3In'(ag)In++2In In2S(黄色)不与水反应,与酸反应放出H2 In2S+4H+22-=2H2↑+In2S3(红色) (2)T的+1氧化态稳定,除了TF外,其它TX难溶于水,与Ag相似 13++21=31+411+O2=212O TiOH是强碱,能从空气中吸收H2O或CO2,并能腐蚀玻璃 铊能形成同时作为一价和三价的配位化合物: 如T2Cl4、T4Cl6都不能认为T为+2价,而是以配合物形式存在: TIOITIOCLI 盐的水解总结 、影响水解的因素 1.内因 (1)极化 a.正离子的电荷高,半径小,易水解 AlCl3+3H20 Al(OH)3+3HCI SiCl4+4H2O E H4SiO4 + 4HCI b.正离子电子构型的影响:18电子构型,18+2电子构型,不规则电子构型的离 子易水解:Zn2、Hg2、Bi3+、Fe等离子易水解 (2)空轨道:NF3不易水解,PF3易水解:CF4、CCl4不水解,但SiCl4水解 218218 三、Compounds 1．[ +3 ] O.S. (1) Oxides： Ga2O3 In2O3 Tl2O3 稳定性减弱，氧化性增强，碱性增强 Tl2O3 200℃ Tl2O + O2 M2O3(s) + 6HCl(aq) MCl3(aq) + 3H2O(l) rGm (kJ·mol−1 ) 71 −25 −199 Ga(OH)3 为两性氧化物，Ga2O3 与 Al2O3 结构相似 Ga(OH)3 + 3OH－ [Ga(OH)6] 3− Ga(OH)3 能溶于氨水，但 Al(OH)3 不能 (2) sulfides： Ga2S3（黄色）彻底水解 Ga2S3 + 6H2O 2Ga(OH)3↓+ 3H2S↑ Tl2S3 不存在：2TlCl3 + 3Na2S Tl2S↓+ 2S↓+ 6NaCl In2S3（红色）可溶于(NH4)2S 或 M2S 中 (3) Halides：Tl(+3)Br3 和 Tl(+3)I3 都不存在,室温下只有 TlF3、TlCl3 显然 Tl3+ + 3I－ TlI + I2 2．[ +1 ] O.S. (1) Ga 和 In 的+1 氧化态不稳定，是强还原剂 3Ga2O Ga2O3 + 4Ga 3Ga2S Ga2S3 + 4Ga 3In+ (aq) In 2In 3 + + In2S（黄色）不与水反应，与酸反应放出 H2 In2S + 4H+ + 2S2− 2H2↑+ In2S3（红色） (2) Tl 的+1 氧化态稳定，除了 TlF 外，其它 TlX 难溶于水，与 Ag+相似 Tl3+ + 2Tl 3Tl+ 4Tl + O2 2Tl2O TiOH 是强碱，能从空气中吸收 H2O 或 CO2，并能腐蚀玻璃 铊能形成同时作为一价和三价的配位化合物： 如 Ti2Cl4、Tl4Cl6 都不能认为 Tl 为+2 价，而是以配合物形式存在： Tl [Tl Cl ] 4 (Ⅰ) (Ⅲ) Tl [Tl Cl ] 6 ( ) ( ) 3 Ⅰ Ⅲ 盐的水解总结： 一、影响水解的因素 1．内因 (1) 极化 a．正离子的电荷高，半径小，易水解 AlCl3 + 3H2O Al(OH)3 + 3HCl SiCl4 + 4H2O H4SiO4 + 4HCl b．正离子电子构型的影响；18 电子构型，18 + 2 电子构型，不规则电子构型的离 子易水解：Zn2+、Hg2+、Bi3+、Fe3+等离子易水解。 (2) 空轨道：NF3 不易水解，PF3 易水解；CF4、CCl4 不水解，但 SiCl4 水解