忘電子工出版社 对半导体材料而言,TE>(1+以),故(1+)项可以忽略 △R Rx,EE=丌10 半导体材料的电阻值变化,主要是由电阻率变化引起的, 而电阻率p的变化是由应变引起的 半导体单晶的应变灵敏系数可表示 △R/R K =丌,E 半导体的应变灵敏系数还与掺杂浓度有关,它随杂质的增加而减小对半导体材料而言，πl E >>(1+μ)，故(1+μ)项可以忽略  l E  l  R R = =  半导体材料的电阻值变化，主要是由电阻率变化引起的， 而电阻率ρ的变化是由应变引起的 半导体单晶的应变灵敏系数可表示 E R R K  l  =  = / 半导体的应变灵敏系数还与掺杂浓度有关，它随杂质的增加而减小 返 回 上一页 下一页