子工業出版社 压阻效应 SHING HOUSE OF ELECTRONICS INDUSTRY △R =(1+)E+ R 金属材料半导体材料 半导体电阻率40 丌1G=丌1E 兀为半导体材料的压阻系数,它与半导体材料种类及应力方向 与晶轴方向之间的夹角有关; E为半导体材料的弹性模量,与晶向有关。 △R =(1++x1E)E R压阻效应 金属材料 半导体材料 l l E       ＝ l = l e 半导体电阻率 πl为半导体材料的压阻系数，它与半导体材料种类及应力方向 与晶轴方向之间的夹角有关； E为半导体材料的弹性模量，与晶向有关。 返 回 上一页 下一页      = + +  (1 ) R R (1   E) R R = + + l 