高技术通讯、1996.10. 制有很大影响,影响SCw的形貌和结构。 3四种SCw的杂质含量分析 杂质元素 复合催化剂产品01540.10980.0730.2540.0010.005 ACMc(美)0.0810.1600.0590.050 0.014 Tokai(日) 0.1020.0750.0270.4510.3790.0090.019 表3为在复合催化剂作用下Scw与国外同类产品的杂质含量比较。晶须的杂质含量与原料 的预处理、催化剂及分选过程有关,从表中看出,复合催化剂产品在杂质含量方面与国外三种SCw 比较,处于中间位错 4.Sicw的生长机理 稻壳Sw为VLS生长机理,生长方向是<11>方向,外延性生长。Nut认为SCw的生 长是通过二维生长,即第一步是核区在辐向上的生长,第二步是晶须直径的横向增厚;徐桦博士 分析了BPSw的结构认为6:SCw的生长属轴向一维生长。作者认为,Sicw的生长机制与催化 剂的性质有关。 在复合催化剂条件下,SCw的生长属粗糙界面生长,界面的轴向生长是连续的、均匀的,在 稳定温场下,晶须呈等径生长,光面光滑,既使受温度波动及杂质影响,由于生产是连续的,催 化剂熔球控制的直径变化也是均匀的。所以,在复合催化剂作用下,晶须在形貌上是光滑的,在 结构上为完整BSiC单晶晶须 四、结论 通过以上的研究及分析,可以得出:在复合催化剂作用下,提高原料中SO2的含量有利于提 高SCw的转化率,当SiO2含量在57.5%时,晶须含量可达30%以上,当SO2含量再增加时 方面弯晶的含量增多,另一方面SCw的产率也降低;氬气的流量对Scw的转化率影响不大;Siw 以光洁晶须为主,为完整βSC单晶晶须;机理研究表明,在复合催化剂作用下,SiCw的生长属粗 特生长机制。 参考文献 [1]徐桦,郭梦熊,化工新型材料,1994,22(3):23 [2]汪耀祖,郭梦熊稻壳S晶须的显微结构复合材料新进展学术会议论文集,中国复合材料学会,济南 [3] June Gunn Lee, Ivan B. Ceramic Brlletis,1975, 54(2),195 [4]王启宝,中国矿业大学北京研究生部博士学位论文,1995,5:42 5] Nutt SR.J.An. Ceram. Soc,1988,71(3).203 [6】徐桦,郭梦熊.复合材料学报,1994,2(11):15 44 o1994-2009ChinaAcademicJournalElectronicPublishingHouse.Allrightsreservedhttp://www.cnki.net高技术通讯 · 制有很大影 响 , 影响 的形貌和结构 。 表 四种 的杂质含 分析 杂质元素 复合催化剂产 品 美 美 日 。 。 。 表 为在复合催化剂作用 下 与 国外 同类产 品 的杂质含量 比较 。 晶须 的杂质含量与原料 的预处理 、 催化剂及分选过程有关 , 从表 中看 出 , 复合催化剂产 品在杂质含量方面与国外三种 比较 , 处于 中间位错 。 的生长机理 稻 壳 为 岱 生长机理 , 生长方 向是 方 向 , 属 外延性生长 。 〕认为 的生 长是通过二维生长 , 即第一步是核 区在轴向上的生长 , 第二步是 晶须直径的横 向增厚 徐桦博士 分析了 一 记 的结构认为 的生长属轴 向一维生 长 。 作者认为 , 的生长机制与催化 剂 的性质有关 。 在复合催化剂条件下 , 的生长属粗糙界 面生长 , 界面 的轴 向生长是连续 的 、 均匀的 , 在 稳定温场下 , 晶须呈等径生长 , 光面光滑 , 既使受温度波动及杂质影 响 , 由于生产是连续的 , 催 化剂熔球控制的直径变化也是均 匀的 。 所 以 , 在复合催化剂作用下 , 晶须在形貌上是光滑的 , 在 结构上为完整 压 单 晶晶须 。 四 、 结 论 通过以上 的研究及分析 , 可以得 出 在复合催化剂作用下 , 提高原料中 的含量有利于提 高 的转化率 , 当 含量在 时 , 晶须含量可达 以上 , 当 含量再增加时 , 一 方 面弯晶的含量增多 , 另一方面 的产率也降低 扭气的流量对 的转化率影 响不大 以 光洁晶须为上 , 为完整 各 单晶晶须 , 机理研究表明 , 在复合催化剂作用下 , 的生长属粗 糙界 面 生 长机制 。 参考文献 仁 〕徐桦 , 郭梦熊 化工新型材料 , , 仁 〕汪耀祖 , 郭梦熊 稻 壳 晶须的显微结构复合材料新进展学术会议论文集 , 中国复合材料学会 , 济南 , , 助 , 口扮叨 及边以玩 , , 王 启宝 中国矿业大学北京研究生部博士学位论文 , , 〔 〕 枷 ‘针咖 及尤 , , 〔 〕徐桦 , 郭梦熊 复合材料学报 , , 一 一