点击下载:科学出版社:《半导体材料》课程教学资源(PPT课件)第六章 二元Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备及其特征
正在加载图片...
2.GaP的能带结构 GaP间接跃迁型材料 发光效率比直接跃迁型材料低 但是如果某些杂质在GaP中可形成发光的辐射 复合中心使GaP从间接跃迁到直接跃迁转化 发光效率会提高❖ GaP间接跃迁型材料 发光效率比直接跃迁型材料低 但是如果某些杂质在GaP中可形成发光的辐射 复合中心,使GaP从间接跃迁到直接跃迁转化, 发光效率会提高. 2.GaP的能带结构
<<向上翻页
向下翻页>>
点击下载:科学出版社:《半导体材料》课程教学资源(PPT课件)第六章 二元Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备及其特征
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有