GaAs能带结构与Si、Ge能带结构 相比,特点如下 1.GaAs的导带极小值与价带极大值都在K=0,这 种能带结构叫做直接跃迁型;而Si、Ge的极大和 极小值所在的K值不同,这种能带结构叫做间接跃 迁型。 2.GaAs在<100>方向上具有双能谷能带结构,即 除k=0处有极小值外,在<100>方向边缘上存在 另一个导带极小值,比中心极小值仅高0.36eV。因 此电子具有主次两个能谷。 3.GaAs的最高工作温度450°硅:250°C锗:100°GaAs 能带结构与Si、 Ge 能带结构 相比，特点如下： ❖ 1. GaAs 的导带极小值与价带极大值都在K＝0，这 种能带结构叫做直接跃迁型；而Si、 Ge 的极大和 极小值所在的K值不同，这种能带结构叫做间接跃 迁型。 ❖ 2. GaAs 在<100>方向上具有双能谷能带结构，即 除k＝0处有极小值外，在<100>方向边缘上存在 另一个导带极小值，比中心极小值仅高0.36eV。因 此电子具有主次两个能谷。 ❖ 3. GaAs的最高工作温度450℃.硅:250℃ 锗:100℃