7.2热氧化机理 半导体工艺中的二氧化硅大多数是通过热 生长氧化法得到的,也就是让硅片(晶园)在 高温下,与氧化剂发生反应而生长一层SiO2膜 的方法,其化学反应式如下: Si(固态)+02(气态) SiO2(固态) 化学反应非常简单,但氧化几理并非如此, 因为一旦在硅表面有二氧化硅生成,它将阻挡 02原子与Si原子直接接触,所以其后的继续氧 化是02原子通过扩散穿过已生成的二氧化硅层 向Si一侧运动到达界面进行反应而增厚的。通 过一定的理论分析可知,在初始阶段,氧化层 厚度(X)与时间(t)是线性关系,而后变成抛物 线关系。7.2 热氧化机理 半导体工艺中的二氧化硅大多数是通过热 生长氧化法得到的，也就是让硅片（晶园）在 高温下，与氧化剂发生反应而生长一层SiO2膜 的方法，其化学反应式如下： Si(固态)+O2(气态) SiO2(固态) 化学反应非常简单，但氧化几理并非如此， 因为一旦在硅表面有二氧化硅生成，它将阻挡 O2原子与Si原子直接接触，所以其后的继续氧 化是O2原子通过扩散穿过已生成的二氧化硅层， 向Si一侧运动到达界面进行反应而增厚的。通 过一定的理论分析可知，在初始阶段，氧化层 厚度(X)与时间(t)是线性关系，而后变成抛物 线关系