测量时所用的干涉花纹只是在中心花纹附近的几个序。考虑到标准具间隔圈的长度比波长大 得多,中心花纹的干涉序是很大的因此用中心花纹的干涉序代替被测花纹的干涉序引入的 误差可以忽略不计,即N=2h/,将它代入式(14),得 △a=n-b (15) 2h DN--D-N 波数差表示,A=△列/2,则 △ 230 b (16) 其中△D2ab=D2a-D2b由上两式得到波长差或波数差与相应花纹的直径平方差成正比。 故应用(15)式和(16)式,在测出相应的环的直径后,就可以计算出塞曼分裂的裂距。 将(16)式代入(9)式,便得电子荷质比的公式 m (M282-M,8,)Bh D-N--D-N 、实验装置 1)晶体管稳流电源:此稳流电源具有高稳定度,连续可调,可为直流电磁铁提供0.5-3A 稳定激磁电流。 2)直流电磁铁:当激磁电流为2A时磁场强度可达955kAm磁铁可绕轴旋转90°直接 观察纵效应。 3)纵向可调滑座滑座置在三角导轨上不仅沿着光轴方向可调,垂直于光轴方向也可调。 4)光源:采用汞灯为光源将汞灯管固定于两磁极之间的灯架上(装灯时可取下灯架接 通变压器灯管便发出很强的光谱线。 图二仪器结构图 1、电磁铁 2、汞灯 3、聚光镜 4、F-P标准具 5、偏振片 /4波片7测量望远镜8、晶体管稳流电源 9、漏磁变压器10、固定滑座11、可调滑座 12、导轨测量时所用的干涉花纹只是在中心花纹附近的几个序。考虑到标准具间隔圈的长度比波长大 得多,中心花纹的干涉序是很大的,因此用中心花纹的干涉序代替被测花纹的干涉序,引入的 误差可以忽略不计,即 N = 2h/,将它代入式（14）,得 N N b a ab a b D D D D h 2 1 2 2 2 2 2 − −  = − = −     （15） 波数差表示， ~ 2 v =   ，则 2 2 2 ~ 1 D D h v ab ab    = （16） 其中 D ab D a D b 2 2 2  = − 由上两式得到波长差或波数差与相应花纹的直径平方差成正比。 故应用（15）式和（16）式，在测出相应的环的直径后，就可以计算出塞曼分裂的裂距。 将（16）式代入（9）式，便得电子荷质比的公式 ( ) ( ) 2 2 1 2 2 2 2 2 1 1 N N b a D D D D M g M g Bh c m e − − − = −  二、 实验装置 1）晶体管稳流电源：此稳流电源具有高稳定度,连续可调,可为直流电磁铁提供 0.5 一 3A 稳定激磁电流。 2）直流电磁铁：当激磁电流为 2A 时,磁场强度可达 955kA/m,磁铁可绕轴旋转 0 90 直接 观察纵效应。 3）纵向可调滑座:滑座置在三角导轨上,不仅沿着光轴方向可调,垂直于光轴方向也可调。 4）光源: 采用汞灯为光源,将汞灯管固定于两磁极之间的灯架上(装灯时可取下灯架),接 通变压器,灯管便发出很强的光谱线