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第10期 沈连成等:氢促进铁磁性形状记忆合金N和Mno Gazo的纳米压痕蠕变与压痕回复 ,1309. (a b 器 (d) 26 19 -100- -29 距离m 距离m 图3未充氢和充氢试样卸载纳米压痕的形貌和三维轮廓图.(a)未充氢试样卸载后1h压痕形貌:(b)充氢260h卸载压痕的形貌;(c) 对应图(a)的三维轮廓图;()对应图(b)的三维轮廓图 Fig 3 Topographic maps and 3D pmfiles of unbading nanoindentation in uncharged and hydmgen charged specmens (a)afer un bading Ih the topogmphy of nanoindentation n an uncharged specinen:(b)hydmogen charging for260h the opography of an unloaded nanoindentation (c)3D profile coresponding oFig (a):(d)3D profile corresponding to Fig (b) N io Mn0G作为拥有热弹性马氏体相变的铁 载区间所示 磁性形状记忆合金,在应力作用下会发生塑性形变, 也会发生类似于塑性变形的相变的“伪弹性” 4结论 Fik等发现在TN合金中存在纳米级相变,打 N io M nGao取向多晶在室温下能够发生纳米 在TN合金上的压痕在热处理之后完全回复,而纯 压痕蠕变,在室温真空充氢过程中,氢的进入不仅 N的压痕在热处理之后则完全不回复,对于 能够促进纳米压痕蠕变,还可以使马氏体相变的 NMG哈金来说,压痕下的塑性位移一部分来自 “伪弹性”存储的弹性能得以释放,发生逆转变,使 于塑性变形,也包括一部分“伪弹性”,“伪弹性”形 部分塑性变形回复 变存储的弹性能可以作为逆相变的动力,位错形核 与李生位错属于NiMnGa中马氏体相变和磁控形 参考文献 状记忆效应的理论模型-),所以虽然没有磁场和 [1]Ullkko K.Huang JK.KanmerC etal Large magnetic-fiel-n- duced strains in NiMnGa single crystals Appl Phys Lett 1996 温度作为驱动,但是在室温真空充氢过程中,氢的进 69(13):1966 入不仅能够促进位错的发射、增殖和运动),促进 [2]Sozinov A.Likhachev AA.Lanska N.et al Giantmagnetic-fiel- 纳米压痕蠕变,还可以促进马氏体相变,使得“伪弹 induced strain in NMnGa seven-layered martensitic phase Appl 性”形变存储的弹性能得以释放,发生逆转变使“伪 Phys Lett200280(10):1746 弹性”部分的形变回复,所以,充氢能使卸载压痕从 [3]Chakravartula A.Kan vopoubs K.Viscoelastic pmperties of poly- 深度为60~100mm降为10m左右甚至更低,如 mer surfaces investigated by nanoscale dynam ic mechanical analy sis Appl Phys Lett 2006.88(13):131901 图所示.并且,与未充氢试样相比,充氢后试样在 [4]Ma X.Yoshida F.Rate dependent indentation harness of a pow- 压痕卸载时获得了更多的变形回复,甚至有“伪弹 er-lny emep soHer allby Appl Phys Lett 2003 82(2):188 性”向超弹性转变的趋势,如图1和2中曲线卸 [5]Feng G.Ngan A H W.Creep and stmain burst in indim and ah-第 10期 沈连成等: 氢促进铁磁性形状记忆合金 Ni50Mn30Ga20的纳米压痕蠕变与压痕回复 图 3 未充氢和充氢试样卸载纳米压痕的形貌和三维轮廓图.(a)未充氢试样卸载后1h压痕形貌;(b)充氢260h卸载压痕的形貌;(c) 对应图 (a)的三维轮廓图;(d) 对应图 (b)的三维轮廓图 Fig.3 Topographicmapsand3Dprofilesofunloadingnanoindentationinunchargedandhydrogenchargedspecimens:(a) afterunloading1h‚the topographyofnanoindentationinanunchargedspecimen;(b) hydrogenchargingfor260h‚thetopographyofanunloadednanoindentation;(c)3D profilecorrespondingtoFig.(a);(d)3DprofilecorrespondingtoFig.(b) Ni50Mn30Ga20作为拥有热弹性马氏体相变的铁 磁性形状记忆合金‚在应力作用下会发生塑性形变‚ 也会发生类似于塑性变形的相变的 “伪弹性 ”. Frick等 [13]发现在 TiNi合金中存在纳米级相变‚打 在 TiNi合金上的压痕在热处理之后完全回复‚而纯 Ni的压 痕 在 热 处 理 之 后 则 完 全 不 回 复.对 于 Ni2MnGa合金来说‚压痕下的塑性位移一部分来自 于塑性变形‚也包括一部分 “伪弹性 ”‚“伪弹性 ”形 变存储的弹性能可以作为逆相变的动力.位错形核 与孪生位错属于 Ni2MnGa中马氏体相变和磁控形 状记忆效应的理论模型 [14--15]‚所以虽然没有磁场和 温度作为驱动‚但是在室温真空充氢过程中‚氢的进 入不仅能够促进位错的发射、增殖和运动 [9]‚促进 纳米压痕蠕变‚还可以促进马氏体相变‚使得 “伪弹 性 ”形变存储的弹性能得以释放‚发生逆转变使 “伪 弹性 ”部分的形变回复.所以‚充氢能使卸载压痕从 深度为 60~100nm降为 10nm左右甚至更低‚如 图 3所示.并且‚与未充氢试样相比‚充氢后试样在 压痕卸载时获得了更多的变形回复‚甚至有 “伪弹 性 ”向 “超弹性 ”转变的趋势‚如图 1和 2中曲线卸 载区间所示. 4 结论 Ni50Mn30Ga20取向多晶在室温下能够发生纳米 压痕蠕变.在室温真空充氢过程中‚氢的进入不仅 能够促进纳米压痕蠕变‚还可以使马氏体相变的 “伪弹性 ”存储的弹性能得以释放‚发生逆转变‚使 部分塑性变形回复. 参 考 文 献 [1] UllakkoK‚HuangJK‚KantnerC‚etal.Largemagnetic-field-in- ducedstrainsinNi2MnGasinglecrystals.ApplPhysLett‚1996‚ 69(13):1966 [2] SozinovA‚LikhachevAA‚LanskaN‚etal.Giantmagnetic-field- inducedstraininNiMnGaseven-layeredmartensiticphase.Appl PhysLett‚2002‚80(10):1746 [3] ChakravartulaA‚KomvopoulosK.Viscoelasticpropertiesofpoly- mersurfacesinvestigatedbynanoscaledynamicmechanicalanaly- sis.ApplPhysLett‚2006‚88(13):131901 [4] MaX‚YoshidaF.Rate-dependentindentationhardnessofapow- er-lawcreepsolderalloy.ApplPhysLett‚2003‚82(2):188 [5] FengG‚NganAHW.Creepandstrainburstinindiumandalu- ·1309·
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