表2-1半导体分立器件与集成电路制造产污环节分析列表 生产单元 主工艺 产污原排料 产生气 产生废水、废浪 清洗 不破坏芯片表面特性的前提下,使用化学溶剂清除硅片表面的尘埃 含氟废水、酸碱废水、含氨废水、 颗粒、有机物残留薄膜和吸附在表面的金属离子等杂质 清洗液 HNO3、H2SO4、丙酮 碱性废气 有机废水、含铜废水、研磨废水 异丙醇、NH4F 有机废气 含磷废水 热氧化|硅与氧气或水汽等氧化剂在高温下经化学反应在硅片表 氧化剂 酸性废气 薄沉积化要气通过气物质的化学反应在片表面生成一层国态雨厨构成南元素的sm NH3、 酸性废气(氟化 SicL2、TiCl4 物理气在真空条件下,采用物理方法将靶材(金属或金属合金)靶材原料主要为 相沉积 气化成气态分子、原子或电离成离子,通过气相过程在铝、钛、铜、金、极少量金属靶材废物 固体废物:废金属靶材 硅片上沉积一层固态薄膜 镍、锰、锑 种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工综合性技术,将所需图形复制在硅片上 在硅片表面形成没有缺陷的光刻胶薄膜 光刻胶 树脂,感光剂,有机溶 剂和添加剂 有机废气 废光刻胶 前烘 为了提高光刻胶的附着性,形成固态薄膜 有机废气 光刻 曝光|光源经过掩核板照射村底,使感光区(或未感光)的光 显影+已曝光的硅片浸入显影液中,通过溶解去除感光区(或 显影液 碱性废气 含氨废水 感光)的光刻胶 废显影液 烘(坚通过高温处理,将 的残留溶液烘干,并进一步去 除光刻胶中剩余的有机溶剂 有机废气 是将光刻后暴露出的薄膜去除,在光刻胶下面的材料上重现光刻胶层上的图形,使品圆基底显露出来,实现图形从光刻胶层到晶圆层的转移,完成图形建立的任务 湿法刻特定的刻蚀液与需要刻蚀的薄膜材料发生化学反应,使 NO3、HF、醋酸:氟 刻蚀液 化铵、表面活性剂:热 酸性废气 含氟废水,酸碱废水 其腐蚀溶解 废刻蚀 千法刻|利用等离子体或高能离子束的轰击,是各向异性刻蚀 刻蚀气体 氯气、三氯化硼、溴化|PoU处理后进入 酸性废气 刻蚀之后,作为保护层的光刻胶不在需要,需从硅晶圆片表面除去 湿法去将刻蚀好的硅片浸泡在溶剂中,通过光刻胶溶胀或发生「有机去胶溶液 丙酮、芳香族 酸性废气:有机 酸碱废水 去胶 无机去胶溶液硫酸、硝酸和过氧化氢 废酸液,废有机溶剂 通过等离子体将光刻胶剥除 工艺尾气(CO7 表 2-1 半导体分立器件与集成电路制造产污环节分析列表 生产单元 主要工艺 产污原辅料 产生废气 产生废水、废液 清洗 不破坏芯片表面特性的前提下，使用化学溶剂清除硅片表面的尘埃 颗粒、有机物残留薄膜和吸附在表面的金属离子等杂质 清洗液 NH4OH、H2O2、HCl、 HNO3、H2SO4、丙酮、 异丙醇、NH4F 酸性废气、 碱性废气、 有机废气 含氟废水、酸碱废水、含氨废水、 有机废水、含铜废水、研磨废水、 含磷废水 薄膜沉积 工艺 热氧化 硅与氧气或水汽等氧化剂在高温下经化学反应在硅片表 面生成二氧化硅膜 氧化剂 O2、H2O 蒸汽、Cl2、 HCl、二氯乙烯 酸性废气 / 化学气 相沉积 通过气态物质的化学反应在硅片表面生成一层固态薄膜 材料的过程 构成薄膜元素的 反应气体 SiH4、WF6、NH3、 SiH2Cl2、TiCl4 酸性废气（氟化 物） / 物理气 相沉积 在真空条件下，采用物理方法将靶材（金属或金属合金） 气化成气态分子、原子或电离成离子，通过气相过程在 硅片上沉积一层固态薄膜 靶材原料主要为 铝、钛、铜、金、 镍、锰、锑 极少量金属靶材废物 / 固体废物：废金属靶材 光刻 一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工综合性技术，将所需图形复制在硅片上 涂胶 在硅片表面形成没有缺陷的光刻胶薄膜 光刻胶 树脂，感光剂，有机溶 剂和添加剂 有机废气 废光刻胶 前烘 为了提高光刻胶的附着性，形成固态薄膜 / / 有机废气 / 曝光 光源经过掩模板照射衬底，使感光区（或未感光）的光 刻胶的光学特性发生变化 / / / / 显影+ 清洗 已曝光的硅片浸入显影液中，通过溶解去除感光区（或 未感光）的光刻胶 显影液 / 碱性废气 含氨废水 废显影液 后烘（坚 膜） 通过高温处理，将显影时的残留溶液烘干，并进一步去 除光刻胶中剩余的有机溶剂 / / 有机废气 / 刻蚀 是将光刻后暴露出的薄膜去除，在光刻胶下面的材料上重现光刻胶层上的图形，使晶圆基底显露出来，实现图形从光刻胶层到晶圆层的转移，完成图形建立的任务。 湿法刻 蚀 特定的刻蚀液与需要刻蚀的薄膜材料发生化学反应，使 其腐蚀溶解 刻蚀液 HNO3、HF、醋酸；氟 化铵、表面活性剂：热 磷酸 酸性废气 含氟废水，酸碱废水； 废刻蚀液 干法刻 蚀 利用等离子体或高能离子束的轰击，是各向异性刻蚀 刻蚀气体 四氟化碳、六氟化硫、 氯气、三氯化硼、溴化 氢 POU 处理后进入 酸性废气 / 去胶 刻蚀之后，作为保护层的光刻胶不在需要，需从硅晶圆片表面除去 湿法去 胶 将刻蚀好的硅片浸泡在溶剂中，通过光刻胶溶胀或发生 反应将其去除 有机去胶溶液、 无机去胶溶液 丙酮、芳香族； 硫酸、硝酸和过氧化氢 酸性废气；有机 废气 酸碱废水； 废酸液，废有机溶剂 干法去 胶 通过等离子体将光刻胶剥除 / / 工艺尾气（CO、 CO2） /