产单元 圭要工艺产污原料产生度气产生废水、废液 将特定量的杂质源(磷、硼、砷等)通过薄膜开口掺入到硅晶体或其他半导体晶体表层的工艺,以改变半导体的电学特性 在高温下(通常800-10°℃C),杂质源(磷烷、砷烷、 三氯化硼等)在载气的携带下进入硅片刻蚀露出的窗口 掺杂 热扩散|内,与窗口处的硅表面反应释放出杂质原子,并由表面 气态源的有磷烷、乙硼 的高浓度区向内部的低浓度区扩散,最终浓度分布趋于 杂质源 液态源的有硼烷、 工艺尾气, 三氯氧磷:固态源有单(PoU)处理后 入酸性废气 离子注|杂源在另一端被离子化后,集成束在电场中加速 入穿过硅品圆片表面或其他薄膜中,是一个物理反应过程 是去除多余的薄膜,保持品片表面平整平坦 平坦化化学机 磨料(SiO2、CeO;等) 械研磨通过化学腐蚀和机械力对硅片进行平坦化处理 抛光液 反应剂(如H2O2、KOH 研磨废水8 生产单元 主要工艺 产污原辅料 产生废气 产生废水、废液 掺杂 将特定量的杂质源（磷、硼、砷等）通过薄膜开口掺入到硅晶体或其他半导体晶体表层的工艺，以改变半导体的电学特性 热扩散 在高温下（通常 800-1100oC），杂质源（磷烷、砷烷、 三氯化硼等）在载气的携带下进入硅片刻蚀露出的窗口 内，与窗口处的硅表面反应释放出杂质原子，并由表面 的高浓度区向内部的低浓度区扩散，最终浓度分布趋于 均匀，属于化学反应过程 杂质源 气态源的有磷烷、乙硼 烷；液态源的有硼烷、 三氯氧磷；固态源有单 磷酸铵、砷酸铝 工艺尾气， （POU）处理后， 排入酸性废气 / 离子注 入 在接近室温的条件下进行，将硅片放在离子注入机一端， 掺杂源在另一端被离子化后，聚集成束，在电场中加速 穿过硅晶圆片表面或其他薄膜中，是一个物理反应过程 平坦化 是去除多余的薄膜，保持晶片表面平整平坦 化学机 械研磨 通过化学腐蚀和机械力对硅片进行平坦化处理 抛光液 磨料（SiO2、Ce2O3 等）、 反应剂（如 H2O2、KOH 等） / 研磨废水