可以证明，这些空穴的能级处在禁带中紧靠满带 处，这些空着的能级称为受主能级。 满带顶的电子极易激发到受主能级上形成空穴，从 而导电性大大增强。 p型半导体以空穴导电为主。可以证明，这些空穴的能级处在禁带中紧靠满带 可以证明，这些空穴的能级处在禁带中紧靠满带 处，这些空着的能级称为 处，这些空着的能级称为受主能级。 满带顶的电子极易激发到受主能级上形成空穴 主能级上形成空穴，从 而导电性大大增强。 而导电性大大增强。 e p 型半导体以空穴导电为主。 型半导体以空穴导电为主