第23章固体量子理论基础 §23.0引言 §23.1晶体 §23.2能带 §23.3导体绝缘体半导体
第 23 章 固体量子理论基础 §23.3 导体 绝缘体 半导体 §23.2 能带 §23.0 引言 §23.1 晶体
§23.3导体绝缘体半导体 导体电阻率:10-8.1032.cm 半导体:10-2.1092.cm 绝缘体:1014.10222·cm 它们的导电性能不同,是因为它们的能带结构不同 一、导带与价带 N个原子形成固体后,每 个能级变为一能带,而 每一能带由N个准连续的 子能级构成,考虑到各 种可能的轨道运动和自 旋运动,每一个能带可 以有2N(2+1)量子态
§23.3 导体 绝缘体 半导体 导体电阻率:10-8-10-3 Ω ⋅ cm 绝缘体:1014-1022 Ω ⋅ cm 半导体:10-2-109 Ω ⋅ cm 它们的导电性能不同, 是因为它们的能带结构不同 一、导带与价带 N 个原子形成固体后,每 个能级变为一能带,而 每一能带由N个准连续的 子能级构成,考虑到各 种可能的轨道运动和自 旋运动,每一个能带可 以有 2N(2l+1) 量子态
按照泡里不相容原理每一能带最多能容纳的电子 数为2N(2+1)个。 按照能量最小原理,电子从最低的能带开始填充。 深层能级对应的能带是被电子 填满的,对应的能带为满带: 空带 最外层价电子对应的能带为 价带;该带可以是满带,也 哥带 可以是被电子部分填充的; 价带之上的能带没有分布 价带 电子,称这些带为空带。 紧靠价带的空带又称为导带。 满带
价带之上的能带没有分布 价带之上的能带没有分布 电子,称这些带为 电子,称这些带为空带 。 按照泡里不相容原理每一能带最多能容纳的电子 数为 2N (2 l+1) 个。 按照能量最小原理,电子从最低的能带开始填充。 按照能量最小原理,电子从最低的能带开始填充。 深层能级对应的能带是被电子 深层能级对应的能带是被电子 填满的,对应的能带为 填满的,对应的能带为满带; 最外层价电子对应的能带为 最外层价电子对应的能带为 价带;该带可以是满带,也 ;该带可以是满带,也 可以是被电子部分填充的 可以是被电子部分填充的; 空带 导带 价带 紧靠价带的空带又称为 紧靠价带的空带又称为导带。 满带
二、导体、半导体和绝缘体 在能带论的基础上可以证明,一个完全充满的能带 即使有电场存在也形不成电流。 这是区分固体是导体、绝缘体 雪带 的主要依据 导体:价带不满或价带与其 价带④满 它空带有交叠。 哥带 价带满 价带满 价带与导 带有交叠 E-0
二、导体、半导体和绝缘体 导体:价带不满或价带与其 :价带不满或价带与其 它空带有交叠。 它空带有交叠。 导带 价带不满 E g E g=0 导带 价带满 导带 价带满 价带与导 带有交叠 在能带论的基础上可以证明, 在能带论的基础上可以证明,一个完全充满的能带 一个完全充满的能带 即使有电场存在也形不成电流 即使有电场存在也形不成电流 。 这是区分固体是导体、绝缘体 这是区分固体是导体、绝缘体 的主要依据
绝缘体:价带满, 且带隙大。 哥带 E 半导体:价带满,但带 价带满 隙小。 Ee大 哥带 价带满 E小
绝缘体:价带满, 且带隙大。 半导体:价带满,但带 :价带满,但带 隙小。 导带 Eg小 价带满 导带 Eg 价带满 Eg大
二、本征半导体、p型半导体和n型半导体 本征半导体是指纯净的半导体 本征半导体价带电子较易激 发到空的导带上去,使得价 带出现空穴。 本征半导体除了导带上的电 子导电外,价带上留下的空 穴也参与导电。 满带背景上空穴的运动等效一 个带正电的粒子的运动。 本征半导体导带上的电子和价 带上的空穴总是成对出现的
二、本征半导体、p 型半导体和n 型半导体 本征半导体是指纯净的半导体 是指纯净的半导体 本征半导体价带电子较易激 本征半导体 发到空的导带上去,使得价 空的导带上去,使得价 带出现空穴。 e 本征半导体除了导带上的电 本征半导体除了导带上的电 子导电外,价带上留下的 子导电外, 空 穴也参与导电。 穴也参与导电。 e 满带背景上空穴的运动等效一 满带背景上空穴的运动等效一 个带正电的粒子的运动。 个带正电的粒子的运动。 本征半导体导带上的电子和价 本征半导体导带上的电子和价 带上的空穴总是成对出现的。 带上的空穴总是成对出现的
温度升高价带上会有更多的电子被激发到导带上, 所以本征半导体的导电性随温度升高而迅速增大。 杂质半导体是指在纯净的半导体中掺有杂质,包 括:n型半导体和p型半导体。 在四价的本征半导体硅 - 二+4 (Si)或锗(Ge)等中 掺入少量五价的杂质元 素磷(P)或砷(As)等 后形成电子型半导体称 为n型半导体。 杂质元素的五个价电子的 四个价电子与硅或锗形成 共价键,多提供的一个电 n型 子与杂质原子结合较弱
杂质半导体是指在纯净的半导体中掺有杂质,包 是指在纯净的半导体中掺有杂质,包 括:n型半导体和 p 型半导体 。 杂质元素的五个价电子的 杂质元素的五个价电子的 四个价电子与硅或锗形成 四个价电子与硅或锗形成 共价键,多提供的一个电 共价键,多提供的一个电 子与杂质原子结合较弱。 子与杂质原子结合较弱。 温度升高价带上会有更多的电子被激发到导带上, 温度升高价带上会有更多的电子被激发到导带上, 所以本征半导体的导电性随温度升高而迅速增大。 所以本征半导体的导电性随温度升高而迅速增大。 在四价的本征半导体硅 在四价的本征半导体硅 (Si)或锗(Ge) 等中 掺入少量五价的杂质元 掺入少量五价的杂质元 素磷(P)或砷(As)等 后形成电子型半导体称 后形成电子型半导体称 为n 型半导体
可以证明:多余电子的能级处在禁带中紧靠空带 处,该能级称为施主能级。 施主能级上的电子极易激发到导带底形成电子导 电,从而导电性大大增强。 n型半导体以电子导电为主
可以证明: 多余电子的能级处在禁带中紧靠空带 多余电子的能级处在禁带中紧靠空带 处,该能级称为 处,该能级称为施主能级。 施主能级上的电子 施主能级上的电子极易激发到导带底形成电子导 极易激发到导带底形成电子导 电,从而导电性大大增强。 电,从而导电性大大增强。 e e e e n 型半导体以电子导电为主。 型半导体以电子导电为主
在四价的本征半导体硅(Si)或锗(G)中掺入少 量三价的杂质元素硼(B)或镓(Ga)等形成空穴 型半导体称为p型半导体。 杂质元素的三个 价电子与硅或锗 形成共价键时还 缺一个电子,或 Fe 提供了一个空 穴,该空穴杂质 原子结合较弱。 p型
在四价的本征半导体硅( 在四价的本征半导体硅(Si )或锗(Ge )中掺入少 量三价的杂质元素硼( 量三价的杂质元素硼( B )或镓(Ga )等形成空穴 型半导体称为 p 型半导体。 杂质元素的三个 杂质元素的三个 价电子与硅或锗 价电子与硅或锗 形成共价键时还 形成共价键时还 缺一个电子,或 缺一个电子,或 提供了一个空 穴,该空穴杂质 穴,该空穴杂质 原子结合较弱。 原子结合较弱
可以证明,这些空穴的能级处在禁带中紧靠满带 处,这些空着的能级称为受主能级。 满带顶的电子极易激发到受主能级上形成空穴,从 而导电性大大增强。 p型半导体以空穴导电为主
可以证明,这些空穴的能级处在禁带中紧靠满带 可以证明,这些空穴的能级处在禁带中紧靠满带 处,这些空着的能级称为 处,这些空着的能级称为受主能级。 满带顶的电子极易激发到受主能级上形成空穴 主能级上形成空穴,从 而导电性大大增强。 而导电性大大增强。 e p 型半导体以空穴导电为主。 型半导体以空穴导电为主