三态缓冲器 态:1;0;高阻(Hi-Z)( hight impendance)。可认为开路( open circuit。 符号与真值表: EN INOUT Hi-Z 构成多路选择器: ENI ENO INI INO OL 0 0 Hi-Z (S)0(s)1x 0 -ENO 0 0 0 必须确保避免二个和二个以上使能同时为 1。可用译码器解决。例虚线所示。 扩充RAM容量:将多片带三态输出RAM的输 出直接相连,用译码器控制选择欲读出字之芯片 之片选。 RAM中普通译码方案缺陷 译码与门多。例:K个地址线需2个三态缓冲器 三态： 1 ； 0 ；高阻（ Hi － Z ）（ hight impendance）。可认为开路（open circuit）。 符号与真值表： IN OUT EN 构成多路选择器： IN0 EN0 OL IN1 EN1 (S) (S) 必须确保避免二个和二个以上使能同时为 1。可用译码器解决。例虚线所示。 扩充 RAM 容量：将多片带三态输出 RAM 的输 出直接相连，用译码器控制选择欲读出字之芯片 之片选。 ➢ RAM 中普通译码方案缺陷： 1. 译码与门多。例：K 个地址线需 2 k个 EN IN OUT 0 X Hi-Z 1 0 0 1 1 1 EN1 EN0 IN1 IN0 OL 0 0 X X Hi-Z (S)0 (ˉS )1 X 0 0 0 1 X 1 1 1 0 0 X 0 1 0 1 X 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0