N型半导体的本征空穴和P型半导体的本征电子也参与导 电,称为少数载流子。 对于掺杂半导体,除了本征激发产生的电子空穴对以外, 还有施主杂质提供的电子和受主杂质提供的空穴,所以电 子和空穴的浓度不相等。 在N型半导体中,n=n,P 在P型半导体中,p=pg,n 结构缺陷 点缺陷:晶格上出现空位或应该空位处出现了原子。 线缺陷:晶体受应力作用发生错位(沿平面滑移)。 晶格缺陷也能俘获或放出电子,相当于在晶体禁带中附加 受主或施主能级,也起受主或施主作用。2 2 N i i n n n p n n p p n p = = = = 施 施 受 受 在 型半导体中， ， 在P型半导体中， ， 结构缺陷 点缺陷：晶格上出现空位或应该空位处出现了原子。 线缺陷：晶体受应力作用发生错位（沿平面滑移）。 晶格缺陷也能俘获或放出电子，相当于在晶体禁带中附加 受主或施主能级，也起受主或施主作用。 • N型半导体的本征空穴和P型半导体的本征电子也参与导 电，称为少数载流子。 • 对于掺杂半导体，除了本征激发产生的电子空穴对以外， 还有施主杂质提供的电子和受主杂质提供的空穴，所以电 子和空穴的浓度不相等