Doping 掺杂:在本征半导体内掺入杂质, 来改变半导体材料的性能。 CB 把电子贡献给导带的杂质称为施主杂质,杂质能级叫施 主能级,位于导带底部。常用的五价元素有:P(磷)、 (砷)、Sb(锑)、Li(锂)等。五价元素原子的第5个价 电子都激发到导带中参与导电,五价元素原子成为正离 子,是不能移动的正电中心。这种半导体的导电主要是 电子贡献,称作电子型或N型半导体。 n-type: Add elements from Van group, donors, e.g.As Electrons are the majority carriers 能接受满带中电子而产生导电空穴的杂质称为受主杂质, 常用的三价元素有:B(硼)、A(铝、Ga(镓)、In(铟)。 CB 三价元素原子有从附近吸收一个电子的趋势,在满带上 面形成一个新的局部能级,叫受主能级。满带中的电子 很容易跳入该能级。在室温下三价元素原子几乎都形成 负离子,是不能移动的负电中心,而在满带中产生空穴。 VB 这种半导体的导电主要是空穴的贡献,称作空穴型或 P型半导体。 p-type: Add elements from lllr group, acceptors, e.g. B Holes are the majority carriers把电子贡献给导带的杂质称为施主杂质，杂质能级叫施 主能级，位于导带底部。常用的五价元素有：P(磷)、 As(砷)、 Sb(锑)、Li(锂）等。五价元素原子的第5个价 电子都激发到导带中参与导电，五价元素原子成为正离 子，是不能移动的正电中心。这种半导体的导电主要是 电子贡献，称作电子型或N型半导体。 能接受满带中电子而产生导电空穴的杂质称为受主杂质， 常用的三价元素有：B(硼)、Al(铝)、Ga(镓)、In(铟)。 三价元素原子有从附近吸收一个电子的趋势，在满带上 面形成一个新的局部能级，叫受主能级。满带中的电子 很容易跳入该能级。在室温下三价元素原子几乎都形成 负离子，是不能移动的负电中心，而在满带中产生空穴。 这种半导体的导电主要是空穴的贡献，称作空穴型或 P型半导体。 掺杂：在本征半导体内掺入杂质， 来改变半导体材料的性能