B ambe B 1+J (Cbe+Cbs) f 由此可做出B的幅频特性和相频特性曲线,如图所示 当201gB下降3dB时对应的频率/称为共发射极接法的截止频率,当=1时对应的频 率称为特征频率斤,且有∫=β f=B0可由下式推出 8m/ b 1+ Jorb'e 当厂=斤时,有 A()=n8=B 1+(T)2 因斤>,所以,斤≈B0f。 5.3场效应管的高频等效模型 场效应三极管的高频小信号模型如图(a)所示。它是在低频模型的基础上增加了三个极间 电容而构成的,其中Cs、C一般在10pF以内,Cas一般不到lpF。为了分析方便,用密 勒定理将Cs折算到输入和输出侧 Cgs (a)场效应三极管高频小信号模型 (b)单向化高频小信号模型 图场效应三极管高频小信号模型 只要保证折算前后的电流相等即可,如图(b)所示。于是从输入侧有 jo(1-K、)C 1/ Graced)2π ( ) 1 1 j 1 j ( ) b e b e b c 0 b e b e b c m b e        + = + = + + = r C C f f r C C f g r       由此可做出β的幅频特性和相频特性曲线，如图所示。 当 20lgβ下降 3dB 时对应的频率 f称为共发射极接法的截止频率，当β=1 时对应的频 率称为特征频率 fT ，且有 fT=β0f。 fT=β0f可由下式推出：     f r C C f g r 1 j 1 j ( ) 0 b'e b e b c m b'e + = + + =    当 f = fT 时, 有 1 1 ( ) 1 [ ( )] ( ) T 2 0 2 b'e b e b c m b'e T  + = + + + =       f r C C f g r f  因 fT>> f ,所以, fT ≈β0 f。 5.3 场效应管的高频等效模型 场效应三极管的高频小信号模型如图（a）所示。它是在低频模型的基础上增加了三个极间 电容而构成的，其中 Cgs、Cgd 一般在 10pF 以内，Cds 一般不到 1pF。为了分析方便，用密 勒定理将 Cgd 折算到输入和输出侧。 (a) 场效应三极管高频小信号模型 (b) 单向化高频小信号模型 图场效应三极管高频小信号模型 只要保证折算前后的电流相等即可，如图(b)所示。于是从输入侧有 v gd gs gd gs ds gd j (1 ) 1/ j = K C V C V V I      = −   −   （  ）