(1)物理模型 混合π型高频小信号模型是通过三极管的物理模型而建立的,三极管的物理结构如 图所示 b 图双极型三极管物理模型 图高频混合丌型小信号模型电路 图中mb基区的体电阻,b′是假想的基区中的一个点 re是发射结电阻 be是r归算到基极回路的电阻, Cbc是发射结电容,Cb也用Cx这一符号。 nbe是集电结电阻, Cbc是集电结电容,Cbe也用C这一符号 (2)用g代替 根据这一物理模型可以画出混合π型高频小信号模型,如图05.06所示 在高频混合π型小信号模型中将电流源βlb用gmb取代。这是因为本身就与频 率有关,而gm与频率无关。推导如下 Bol bo= Po Bo Bo反映了三极管内部,对流经ne的电流l的放大作用。是真正具有电流放大作 用的部分,B0即低频时的B,而 gm称为跨导,还可写成 Po B01 rb'e(1+ Fo)re re VT(1)物理模型 混合π型高频小信号模型是通过三极管的物理模型而建立的，三极管的物理结构如 图所示。 图 双极型三极管物理模型 图高频混合π型小信号模型电路 图中 rbb基区的体电阻，b是假想的基区中的一个点。 re 是发射结电阻， rbe 是 re归算到基极回路的电阻， Cbe 是发射结电容，Cbe 也用 Cπ这一符号。 rbc是集电结电阻， Cbc是集电结电容，Cbc也用 C这一符号。 (2)用 gmVb e  代替 I  bo 根据这一物理模型可以画出混合π型高频小信号模型，如图 05.06 所示。 在高频混合π型小信号模型中将电流源β I  bo 用 gmV  be取代。这是因为β本身就与频 率有关，而 gm与频率无关。推导如下 b'e . m b e c b e bo b'e b'e . bo 0 b'e b'e . 0 bo . 0 g V V I V I r I V r V I = = = =           β0 反映了三极管内部，对流经 rbe的电流 bo I  的放大作用。 bo I  是真正具有电流放大作 用的部分，β0 即低频时的β，而 b e 0 . bo b e . . bo . c b e . . c m / /   = = = r V I I I V I g  gm称为跨导，还可写成 T E 0 e e 0 b e 0 m 1 (1 ) V I r r r g  = + = =    