在还未形成metal22的时候，AB段metal1上积累 的电荷由器件1中的NMOS管的栅极和地之间通路 泄放到地，会对NMOS管的栅氧化层造成损害； 而器件2的NMOS管的有源区和地之间形成泄放通 路，CD段metal1上积累的电荷泄放不会对栅氧化 层造成损害。 工艺上完成 VDD 扩散区 电荷 相区 VDD metal2以后， 两个器件中所 有MOS管的 栅氧化层都不 会受到损害。 器件2 器件1 D 器 Metall Metal2 V1A12• 在还未形成metal2的时候，AB段metal1上积累 的电荷由器件1中的NMOS管的栅极和地之间通路 泄放到地，会对NMOS管的栅氧化层造成损害； • 而器件2的NMOS管的有源区和地之间形成泄放通 路，CD段metal1上积累的电荷泄放不会对栅氧化 层造成损害。 工艺上完成 metal2以后， 两个器件中所 有MOS管的 栅氧化层都不 会受到损害