a 0D2 Do 98o 100 60 20 10 50 100 150 (a)580'C (Conventional.0-20 scan) (b)435℃ c) id) 4 .s 8 a000 20 50 100 140 20 50 100 140 (e)60℃ (d)290℃ 图1低温沉积金刚石膜的X射2小角度行射谱(2) 1c碳化硅2=0.3073nmc=5.278nm 2a跳化位a=0.3073nm 3二氧化硅伪六方品系 」二氧化硅单斜品系 Fig.4 Small angle (2)X-ray diffraction spectra of diamoad films deposited at low temperatures 表3从低温沉积金刚石膜得到的CVD金刚石面间距数据 Table 3 Observed d-spacings of CVD diamond for low temperature deposited diamond films 溢度，℃ ASTM hkl 700 580 435 380 290 6-0675 111 2,060 2,0594 2,060 220 1,261 1.260 1,258 1,253 1,249 1,261 311 1,075 1,.0766 1,072 1.078 1,076 1.0754 400 0,892 0,8912 331 0,818 0.8182 3讨 论 金刚石在单晶硅衬底上的CVD生长的关键问题之一是硅与金刚石薄膜之间是否存在界 面过渡层以及界面过渡层对金刚石形核的影响。Zhu.W和Badzian,A等r8)根据透射电镜研 究结果认为：金刚石可以直接在硅衬底上形核，不需要任何过渡层，William,B等(？)采用同 样的观察技术发现存在B-SiC过渡层，厚度为5nm。Beltoni和larris(3)等采用XPS分析技术 427丘 公 口 矛 钊 份 生 〕 夕 个七卜 明 ︸、才 日 门 口 反 丸 、 。 门 七 。 ， 口一 口 纽 可口 飞 乙弘 二 。 口几的 。 飞 协 。 份 盛么 加理了 … … 幻叮一 一 万、已引瓜只 ︸户门」 的 ﹁一‘ 介 … ︸盆卜 火们 泣 〕 多乙口 巴 口 户呜 习毛 低温沉 积金刚石 膜的 射 线 小角度衍射谱 “ 口 “ 已 碳化硅 二 二 二氧化 硅 伪 六方晶 系 碳化硅 了 二 氧化硅 单斜晶 系 。 。 一 爪 位 表 从 低温 沉 积金刚石膜 得 到的 金刚石 面 间距教 据 一 皿 温度 ， ℃ 五 一 一 。 。 一 。 。 。 。 。 。 。 。 。 一 工 。 了 一 一 讨 论 金 刚石在单晶硅 衬底 上的 生长的关键问题之一是硅与金 刚石薄膜之 间是否 存 在 界 面过渡层以及界 面过 渡层对金刚石形核的影响 。 和 等 ‘ “ ’ 根据透射 电 镜 研 究结果 认为 金刚石可 以直接在硅 衬底上形核 ， 不需 要任何过渡 层 ， 等 〔 ，采 用 同 样的观察技术发 现存在介 过渡层 ， 厚度为 。 和 “ ’ 等采 用 分析技术