发射结加正偏时,从发射区将有大量 的电子向基区扩散,形成的电流为。与 PN结中的情况相同。。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动, 但其数量小,形成的电流为/p。这是因为 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 进入基区的电子流因基区的空穴浓度 低,被复合的机会较少。又因基区很薄, 在集电结反偏电压的作用下,电子在基区 停留的时间很短,很快就运动到了集电结 的边上,进入集电结的结电场区域,被集 电极所收集,形成集电极电流lcN。在基区 被复合的电子形成的电流是N发射结加正偏时，从发射区将有大量 的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。与 PN结中的情况相同。。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动， 但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 进入基区的电子流因基区的空穴浓度 低，被复合的机会较少。又因基区很薄， 在集电结反偏电压的作用下，电子在基区 停留的时间很短，很快就运动到了集电结 的边上，进入集电结的结电场区域，被集 电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区 被复合的电子形成的电流是 IBN