2.1双极型半导体三极管 2.1.1双极型半导体三极管的结构 2.1.2双极型半导体三极管电流的分配 与控制 2.1.3双极型半导体三极管的电流关系 2.1.4双极型半导体三极管的特性曲线 2.1.5半导体三极管的参数 2.1.6半导体三极管的型号
2.1.1 双极型半导体三极管的结构 2.1.2 双极型半导体三极管电流的分配 与控制 2.1.3 双极型半导体三极管的电流关系 2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线 2.1.5 半导体三极管的参数 2.1.6 半导体三极管的型号 2.1 双极型半导体三极管
双极型半导体三极管是由两种载 一会上回出的业邑 半 场效应型半导体三极管仅由一种 载流子参与导电,是一种VCCS器件。 二是场效应半导体三极管 2.1双极型半导体三极管 2.2场效应半导体三极管
半导体三极管有两大类型， 一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管 2.1 双极型半导体三极管 2.2 场效应半导体三极管 双极型半导体三极管是由两种载 流子参与导电的半导体器件，它由两 个 PN 场效应型半导体三极管仅由一种 结组合而成，是一种CCCS器件。 载流子参与导电，是一种VCCS器件
2.1.1双极型半导体三极管的结构 侧称为发射区,电极称为发另一侧称为集电区和集电极,下。 用E或e表示( Emitter):用C或c表示( Collector NPN 型 PNP型 e e P N P 为集电结(Jc) 中间部分称为基区,连上电极称为基极, 用B或b表示(Base); Te
2.1.1双极型半导体三极管的结构 双极型半导体三极管的结构示意图如图02.01所示。 它有两种类型:NPN型和PNP型。 图 02.01 两种极性的双极型三极管 e-b间的PN结称为发射结(Je)c-b间的PN结称为集电结(Jc) 中间部分称为基区，连上电极称为基极， 用B或b表示（Base）； 一侧称为发射区，电极称为发射极， 用E或e表示（Emitter）； 另一侧称为集电区和集电极， 用C或c表示（Collector）
双极型三极管的符号在图的下方给出,发 射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的 实际上发射区的掺杂浓度大,集电区掺杂浓度 低,且集电结面积大。基区要制造得很薄,其 厚度一般在几个微米至几十个微米 NPN 型 PNP型 N P N P N P C b le
双极型三极管的符号在图的下方给出，发 射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的， 实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度 低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其 厚度一般在几个微米至几十个微米
2.1.2双极型半导体三极管的 电流分配与控制 双极型半导体三极管在工作时一定要加上 适当的直流偏置电压 若在放大工作状态:发射结加正向电压, 集电结加反向电压 N P EP 现以NPN型三e在 叫邮 极管的放大状态为 ⊥CBO 例,来说明三极管 内部的电流关系, 空穴·电子←电流方向 见图02.02。 动画21图02.02双极型三极管的电 流传输关系
2.1.2 双极型半导体三极管的 电流分配与控制 双极型半导体三极管在工作时一定要加上 适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态：发射结加正向电压， 集电结加反向电压。 现以 NPN型三 极管的放大状态为 例，来说明三极管 内部的电流关系， 见图02.02。 图 02.02 双极型三极管的电 流传输关系 动画2-1
发射结加正偏时,从发射区将有大量 的电子向基区扩散,形成的电流为。与 PN结中的情况相同。。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动, 但其数量小,形成的电流为/p。这是因为 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 进入基区的电子流因基区的空穴浓度 低,被复合的机会较少。又因基区很薄, 在集电结反偏电压的作用下,电子在基区 停留的时间很短,很快就运动到了集电结 的边上,进入集电结的结电场区域,被集 电极所收集,形成集电极电流lcN。在基区 被复合的电子形成的电流是N
发射结加正偏时，从发射区将有大量 的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。与 PN结中的情况相同。。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动， 但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 进入基区的电子流因基区的空穴浓度 低，被复合的机会较少。又因基区很薄， 在集电结反偏电压的作用下，电子在基区 停留的时间很短，很快就运动到了集电结 的边上，进入集电结的结电场区域，被集 电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区 被复合的电子形成的电流是 IBN
EP 另外因集电结反偏 e CN 使集电结区的少子形成 CBO 漂移电流 ICBO O 于是可 得如下电流关系式 空穴·电子(电流方向 E EN Ip且有/> ENICN t lBN 且有/N CN-S ICNT ICBO B EP t lBn CBO ETIEP ENTEP ICN TIBN (ICN+ICBO +(BN+IEp-IcBo) IE=Ic+IB
另外因集电结反偏， 使集电结区的少子形成 漂移电流ICBO。于是可 得如下电流关系式: IE = IEN+ IEP 且有IEN>>IEP IEN =ICN+ IBN 且有IEN>> IBN ，ICN>>IBN IC=ICN+ ICBO IB =IEP+ IBN－ICBO IE =IEP+IEN =IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO) IE =IC+IB
以上关系在图0202的动画中都给予 了演示。由以上分析可知,发射区掺杂 浓度高,基区很薄,是保证三极管能够 实现电流放大的关键。若两个PN结对接 相当基区很厚,所以没有电流放大作 用,基区从厚变薄,两个PN结演变为三 极管,这是量变引起质变的又一个实例
以上关系在图02.02的动画中都给予 了演示。由以上分析可知，发射区掺杂 浓度高，基区很薄，是保证三极管能够 实现电流放大的关键。若两个PN结对接 ，相当基区很厚，所以没有电流放大作 用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三 极管，这是量变引起质变的又一个实例
问题1:除了从三极管的电流分配关系可以 证明l=lc+lB。还可以通过什么方 法加以说明? 问题2:为什么当温度升高时,三极管将失 去放大作用?从物理概念上加以说 明
问题1：除了从三极管的电流分配关系可以 证明 IE=IC+IB 。还可以通过什么方 法加以说明？ 问题2：为什么当温度升高时，三极管将失 去放大作用？从物理概念上加以说 明
2.1.2双极型半导体三极管的 电流分配与控制 改进的电子教案
2.1.2 双极型半导体三极管的 电流分配与控制 • 改进的电子教案
