2.1.5半导体三极管的参数 半导体三极管的参数分为三大类 直流参数 交流参数 极限参数 (1)直流参数 ①直流电流放大系数 1.共发射极直流电流放大系数 CEO)/T B≈c7IB|wE= const
2.1.5 半导体三极管的参数 半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 (1)直流参数 ①直流电流放大系数 1.共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB vCE=const
β在放大区基本不变。在共发射极输出特性 曲线上,通过垂直于X轴的直线(vcE= const)来求 取lc/B,如图02,07所示。在/较小时和L较大 时,B会有所减小,这一关系见图02.08。 I c/mA I c/mA e500μA cE=7V d400μA 3B=2/d 300μA 200μA I8=100HA OHA VCE/ lB/μuA 100200300400500 图02.07在输出特性曲 图02.08B值与C的关系 线上决定B
在放大区基本不变。在共发射极输出特性 曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求 取IC / IB ，如图02.07所示。在IC较小时和IC较大 时， 会有所减小，这一关系见图02.08。 图 02.07 在输出特性曲 图02.08 值与IC的关系 线上决定
2共基极直流电流放大系数a a C CBO )lECCE 显然与B之间有如下关系 a=l/E=BB/(1+B)/B=B/(1+B
2.共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 显然 与 之间有如下关系: = IC/IE= IB/(1+ )IB= /(1+ )
②极间反向电流 1集电极基极间反向饱和电流ICBo IBo的下标CB代表集电极和基极,O是 Open的字头,代表第三个电极配开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。 2集电极发射极间的反向饱和电流IEo ICEo和ICBo有如下关系 cEo(1+B)I CBO 相当基极开路时,集电极和发射极间的反向 饱和电流,即输出特性曲线lB=0那条曲线所对应 的Y坐标的数值。如图0209所示
②极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。 2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向 饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应 的Y坐标的数值。如图02.09所示
i c/mA B2 =80A 放大区 B1=40A l=0截止区 CEO E 图02.09cpo在输出特性曲线上的位置
图02.09 ICEO在输出特性曲线上的位置
(2)交流参数 ①交流电流放大系数 1共发射极交流电流放大系数B B=△△Bn=eomt 在放大区β值基本不变,可在共射接法输出 特性曲线上,通过垂/mA 直于X轴的直线求取 △C/△lB。或在图02 △lB=lB1-l 08上通过求某一点的 斜率得到β。具体方 === 法如图02.10所示 图02.10在输出特性曲线上求B
(2)交流参数 ①交流电流放大系数 1.共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const 在放大区 值基本不变，可在共射接法输出 特性曲线上，通过垂 直于X 轴的直线求取 IC/IB。或在图02. 08上通过求某一点的 斜率得到。具体方 法如图02.10所示。 图02.10 在输出特性曲线上求β
2共基极交流电流放大系数a a=△C/ EI VCBconst 当Bo和lcBo很小时,∝Q、,可以不加区分 ②特征频率f 三极管的β值不仅与工作电流有关,而且与 工作频率有关。由于结电容的影响,当信号频率 增加时,三极管的β将会下降。当β下降到1时所对 应的频率称为特征频率,用斤表示
2.共基极交流电流放大系数α α=IC/IE VCB=const 当ICBO和ICEO很小时，≈、≈，可以不加区分。 ②特征频率fT 三极管的值不仅与工作电流有关，而且与 工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率 增加时，三极管的将会下降。当下降到1时所对 应的频率称为特征频率，用fT表示。
(3)极限参数 ①集电极最大允许电流lcM 如图02.08所示,当集电极电流增加时,β就 要下降,当β值下降到线性放大区β值的70~30% 时,所对应的集电极电流称为集电极最大允许电 流cM。至于f值下降多少,不同型号的三极管, 不同的厂家的规定有 I c/mA VCE =7V B=Ic/ 所差别。可见,当 lC>lCM时,并不表 示三极管会损坏。 IB/H 100200300400500
(3)极限参数 ①集电极最大允许电流ICM 如图02.08所示，当集电极电流增加时， 就 要下降，当值下降到线性放大区值的70～30％ 时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电 流ICM。至于值下降多少，不同型号的三极管， 不同的厂家的规定有 所差别。可见，当 IC＞ICM时，并不表 示三极管会损坏
②2集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗 CMICVCB CE9 因发射结正偏,呈低阻,所以功耗主要集中 在集电结上。在计算时往往用VcE取代Bo
②集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中 在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB
③反向击穿电压 反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电 压的能力,其测试时的原理电路如图02.11所示 限流电阻 限流电阻 mAY R R e (BR)CBO (BR)CEO 限流电阻 限流电阻 m鸟 R R R VBR)CES V(BR)CER 图02.11三极管击穿电压的测试电路
③反向击穿电压 反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电 压的能力，其测试时的原理电路如图02.11所示。 图02.11 三极管击穿电压的测试电路
