我电域术基础 本课程是入门性质的技术基础课
模拟电子技术基础 本课程是入门性质的技术基础课
、电子技术的发展 ■47年贝尔实验室制成第一只晶体管 58年集成电路 ■69年大规模集成电路 ■75年超大规模集成电路 第一片集成电路只有4个晶体管,而97年一片集 成电路上有40亿个晶体管。科学家预测集成度按 10倍/6年的速度还将继续到2015或2020年,将达 到饱和
一、电子技术的发展 ◼ 47年 贝尔实验室制成第一只晶体管 ◼ 58年 集成电路 ◼ 69年 大规模集成电路 ◼ 75年 超大规模集成电路 第一片集成电路只有4个晶体管，而97年一片集 成电路上有40亿个晶体管。科学家预测集成度按 10倍/6年的速度还将继续到2015或2020年，将达 到饱和
、模拟电路 口数字量:离散性 模拟量;连续性,大多数物理量,如温度 ■模拟电路:对模拟量进行处理的电路,最 基本的处理是放大。 ■放大:输入为小信号,有源元件控制电源 使负载获得大信号,并保持线性关系。 ■有源元件:能够控制能量的元件
二、模拟电路 ◼ 数字量：离散性 ◼ 模拟量：连续性，大多数物理量，如温度、 压力、流量、液面……均为模拟量。 ◼ 模拟电路：对模拟量进行处理的电路，最 基本的处理是放大。 ◼ 放大：输入为小信号，有源元件控制电源 使负载获得大信号，并保持线性关系。 ◼ 有源元件：能够控制能量的元件
课程目的 掌握基本概念、基本电路、基本分析方法 基本实验技能 ■具有能够继续深入学习和接收电子技术新发展 的能力,将所学知识用于本专业的能力 四、考察方法 会看:定性分析 会算:定量计算、CAD 会选:电路形式、器件、参数 会调:测试方法、仪器选用、EDA
三、课程目的 ◼ 掌握基本概念、基本电路、基本分析方法、 基本实验技能 ◼ 具有能够继续深入学习和接收电子技术新发展 的能力，将所学知识用于本专业的能力。 四、考察方法： 会看：定性分析 会算：定量计算、CAD 会选：电路形式、器件、参数 会调：测试方法、仪器选用、EDA
五、学习方法 ■在入门阶段要以听课为线索 ■建立工程的观念、系统的观念、科学进 步的观念、实践的观念; 特别注意电路原理在电子电路分析中的 应用。 六、考谜方法 笔试开卷
五、学习方法 ◼ 在入门阶段要以听课为线索； ◼ 建立工程的观念、系统的观念、科学进 步的观念、实践的观念； ◼ 特别注意电路原理在电子电路分析中的 应用。 六、考试方法 笔试开卷
第一章半导体器件
第一章 半导体器件
二极管 正向特性为 指数曲线 电流端电压 80°C20° 反向电流 I=I(eUT 为常量 (BR) 反向饱 温度的 和电流 电压当量 开启电压 T(℃)↑→在电流不变情况下管压降u →反向饱和电流s↑,U(B T(℃)↑→正向特性左移,反向特性下移
一、二极管 开启电压 (e 1) T = S − U U I I 端电压 温度的 电压当量 反向饱 和电流 电流 正向特性为 指数曲线 反向电流 为常量 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移
极管的几个参数 D 材料开启电压导通电压反向饱和电流 硅Si 0.5V 0.5~0.8V u以下 锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十μA 最大整流电流lF:平均电流 最高反向工作电压UR:瞬时值 反向电流/g:Is,是对温度很敏感的参数 最高工作频率爪结电容作用的结果
二极管的几个参数 材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流 硅Si 0.5V 0.5~0.8V 1µA以下 锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十µA 最大整流电流IF：平均电流 最高反向工作电压UR：瞬时值 反向电流IR： IS，是对温度很敏感的参数 最高工作频率fM：结电容作用的结果
晶体管(三极管、双极型管) 集电极~ △ 饱和区 △i CE 常数 B 放 三个工作区域:放大区 △/B 截止区、饱和区 区 开关特性 B 数字电路 止区 极限参数:最大集电极功耗PCM=lUcE 模拟电路 最大集电极电流,ce间击穿电压UCEo
二、晶体管（三极管、双极型管） =常数 = UC E B C i i 三个工作区域：放大区、 截止区、饱和区 开关特性 数字电路 极限参数：最大集电极功耗PCM ＝ICUCE 模拟电路 最大集电极电流ICM，c-e间击穿电压UCEO
Q+卩 晶体管的 R 个工作区域 状态 BE CE 截止<Unl CEO CC 放大 on ∥lB uBE 饱和≥Uon<BlB <uBE
晶体管的 三个工作区域 ◼ 状态 uBE iC uCE ◼ 截止 ＜Uon ICEO VCC ◼ 放大 ≥ Uon β IB ≥ uBE ◼ 饱和 ≥ Uon ＜β IB ＜ uBE
