型电子技市 第一章绪论 、本课程的性质、目的和任务 二、模拟电路的基本知识 、本课程的基本要求 四、基础要求 五、参考书
第一章 绪 论 一、本课程的性质、目的和任务 三、本课程的基本要求 二、模拟电路的基本知识 五、参考书 四、基础要求
瞑型电子技市 求原8 第二 半导体二极管及其基本电路 4521半导体的基本知识 本征半导体 纯净的半导体晶体称为本征半导体
§2.1 半导体的基本知识 一、本征半导体 纯净的半导体晶体称为本征半导体 第二章 半导体二极管及其基本电路
1.本征半导体的共价键结构(硅): 共价键共价键中的 两个电子 ··.. 图2 硅原子外层轨道4个价电子,它与相邻原子靠得 很近,使价电子成为两个原子公有,形成共价键结构 模型电子技宜
1. 本征半导体的共价键结构(硅): 硅原子外层轨道4个价电子,它与相邻原子靠得 很近,使价电子成为两个原子公有,形成共价键结构。 +4 +4 +4 +4 共价键 共价键中的 两个电子 图2-1
2.本征半导体的特点: 在T=0K(绝对零度)和无外界激发, 没有自由运动的带电粒子—载流子; T个,受热激发,如T=300K(室温) 少数价电子会挣脱束缚成为自由电子, 留下空穴—本征激发。 模型电子技市
2. 本征半导体的特点: 在T = 0 K(绝对零度)和无外界激发, 没有自由运动的带电粒子——载流子; T ,受热激发,如 T = 300K(室温), 少数价电子会挣脱束缚成为自由电子, 留下空穴——本征激发
3.本征半导体中的两种载流子: 自由电子 空穴(价电子挣脱束缚后留下的空位) a.带正电,所带电量与电子相等; b可以“移动”; c.本征半导体中,自由电子和空穴 成对出现,数目相等 模型电子技市
3. 本征半导体中的两种载流子: 自由电子 空穴(价电子挣脱束缚后留下的空位) a. 带正电,所带电量与电子相等; b. 可以“ 移动”; c. 本征半导体中,自由电子和空穴 成对出现,数目相等
4.本征半导体中的载流子浓度 E P;=A·T 2 kT n:自由电子的浓度 p;空穴的浓度 A:系数(与半导体材料有关) 模型电子技市
4. 本征半导体中的载流子浓度 kT EG n p A T e 2 2 3 i i − = = ni:自由电子的浓度 pi:空穴的浓度 A:系数(与半导体材料有关)
T:绝对温度 EG:价电子挣脱共价键所需能量,又叫禁带宽度 K:波尔兹曼常数 结论:半导体材料一定,载流子浓度随温度 按指数规律增大。 模型电子技市
T:绝对温度 EG:价电子挣脱共价键所需能量, 又叫禁带宽度 K:波尔兹曼常数 结论:半导体材料一定,载流子浓度随温度 按指数规律增大