图2.1.3三极管非门(a)电路b)逻辑符号 (1)VA=0V。此时三极管的发射结电压小于死区电压,满足截止条件,所以管子截止, (2)VA=5V。此时三极管的发射结正偏,管子导通,只要合理选择电路参数,使其满 足饱和条件lB>lBs,则管子工作于饱和状态,有V=cs≈0V(0.3Vv)。 把上述分析结果列入表2.1.5中,此电路不管采用正逻辑体制还是负逻辑体制,都满足 非运算的逻辑关系。 表215非门输入输出电压的关系 表216非逻辑真值表 输入 输出 输出 VA (V) Vi (V) A L 0 三.DIL与非门电路 令,前面介绍的二极管与门和或门电路虽然结构简单,逻辑关系明确,但却不实用。例如在 2.1.4所给出的两级二极管与门电路中,会出现低电平偏离标准数值的情况。 为此,常将二极管与门和或门与三极管非门组合起来组成与非门和或非门电路,以消除 在串接时产生的电平偏离,并提高带负载能力。 +Icc(+5v) +Cc(+5V) 0.7V L 图2.1.4两级二极管与门串接使用的情况 图2.1.5所示就是由三输入端的二极管与门和三极管非门组合而成的与非门电路。其中, 作了两处必要的修正 (1)一将电阻Rb换成两个二极管D4、Ds,作用是提高输入低电平的抗干扰能力,即 当输入低电平有波动时,保证三极管可靠截止,以输出高电平。 (2)二是增加了R1,目的是当三极管从饱和向截止转换时,给基区存储电荷提供一个 泻放回路。 RI 4.7kQ图 2.1.3 三极管非门 （a）电路 （b）逻辑符号 （1）VA=0V。此时三极管的发射结电压小于死区电压，满足截止条件，所以管子截止， VL=VCC=5V。 （2）VA=5V。此时三极管的发射结正偏，管子导通，只要合理选择电路参数，使其满 足饱和条件 IB＞IBS，则管子工作于饱和状态，有 VL=VCES≈0V（0.3V）。 把上述分析结果列入表 2.1.5 中，此电路不管采用正逻辑体制还是负逻辑体制，都满足 非运算的逻辑关系。 表 2.1.5 非门输入输出电压的关系 表 2.1.6 非逻辑真值表 三． DTL 与非门电路 前面介绍的二极管与门和或门电路虽然结构简单，逻辑关系明确，但却不实用。例如在 图 2.1.4 所给出的两级二极管与门电路中，会出现低电平偏离标准数值的情况。 为此，常将二极管与门和或门与三极管非门组合起来组成与非门和或非门电路，以消除 在串接时产生的电平偏离，并提高带负载能力。 0V 5V +V +V L 5V D D D D 3kΩ （ +5V） R CC 2 1 1 CC R 2 （ +5V） 0.7V 1.4V 3kΩ 图 2.1.4 两级二极管与门串接使用的情况 图 2.1.5 所示就是由三输入端的二极管与门和三极管非门组合而成的与非门电路。其中， 作了两处必要的修正： （1）一将电阻 Rb 换成两个二极管 D4、D5，作用是提高输入低电平的抗干扰能力，即 当输入低电平有波动时，保证三极管可靠截止，以输出高电平。 （2）二是增加了 R1，目的是当三极管从饱和向截止转换时，给基区存储电荷提供一个 泻放回路。 A B C L +V D D D 1 2 D D 3 1 R 2 3 CC（ +5V） R1 Rc T 4 5 P 3kΩ 1kΩ 4.7kΩ 输入 A 输出 L 0 1 1 0 输入 VA（V） 输出 VL（V） 0 5 5 0