三、硅锗晶体的掺杂 ■半导体的电学参数通过掺杂来控制的,拉 单晶的过程时就掺入杂质。 ■杂质掺入的方法 不易挥发的材 共熔法:纯材料与杂一虺双人坩锅熔化 投杂法:向已熔化的材料中加入杂质 易挥发的材料 44 三、硅锗晶体的掺杂 ◼ 半导体的电学参数通过掺杂来控制的，拉 单晶的过程时就掺入杂质。 ◼ 杂质掺入的方法 共熔法：纯材料与杂质一起放入坩锅熔化 投杂法：向已熔化的材料中加入杂质 不易挥发的材 料 易挥发的材料