单晶生长时, 杂质分布不均匀会造成横向和纵向电阻率不均匀 电阻率均匀性是半导体材料质量的一个指标 直拉法生长单晶的电阻率的控制 1.直拉法单晶纵向电阻率均匀性的控制 √变速拉晶法:先用大拉速,再用小拉速 √双坩锅法(连通坩锅法,浮置坩锅法)(Ps)5 单晶生长时， 杂质分布不均匀会造成横向和纵向电阻率不均匀 ◼ 1.直拉法单晶纵向电阻率均匀性的控制 电阻率均匀性是半导体材料质量的一个指标 ✓变速拉晶法：先用大拉速，再用小拉速 ✓双坩锅法（连通坩锅法，浮置坩锅法）（P80） ◼ 一、直拉法生长单晶的电阻率的控制