浙大学电气程学院 电力电子技术基础 绪论 ll IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 频率:100KHz,容量比 MOSFET大 MCT(MOS-Control Thyristor) 频率:100KHz,容量较大 . V PID(Power Integrated Device) PIC(Power Integrated Circuit) ST( Static Induction transistor)静电感应晶体管 S|TH( Static Induction Thyrister)静电感应晶闸管 HVC高压功率集成电路 7浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- 7 绪 论 ⚫ III、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) ⚫ 频率∶100KHz，容量比MOSFET大 ⚫ MCT(MOS-Control Thyristor) ⚫ 频率∶100KHz，容量较大 ⚫ IV、PID(Power Integrated Device) ⚫ PIC(Power Integrated Circuit) ⚫ SIT(Static Induction Transistor)静电感应晶体管 ⚫ SITH(Static Induction Thyrister) 静电感应晶闸管 ⚫ HVIC高压功率集成电路