浙大学电气程学院 电力电子技术基础 绪论 ●2、器件 o I SCR(Semiconductor Controlled Rectifier) 57年出现,目前,(Gate- turn-on Thyrister 5000A4000-6000V;频率比SCR稍高 GTR(BJT)(Bipolar Junction Transistor) 频率:20000H PowerMOSFET 频率:500KHz,容量较小 6浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- 6 绪 论 ⚫ 2、器件 ⚫ I、SCR(Semiconductor Controlled Rectifier) ⚫ 57年出现，目前，(Gate-turn-on Thyrister) ⚫ 5000A,4000-6000V；频率比SCR稍高 ⚫ GTR（BJT）(Bipolar Junction Transistor) ⚫ 频率∶20000Hz ⚫ PowerMOSFET ⚫ 频率∶500KHz, 容量较小