§6.,2实际肖特基势垒高度的调制 62.1MS中的镜像力和镜像力引起的势垒降低 假设在不考虑镜像力时,电子的能量为: E,=q(x)=E2(x)=E(x),。 Image 其中ECx)是导带在x的能量( Stars x) Potential 势能)。根据电势叠加原理, 镜像势 考虑镜像力引起的能量因素后 goB ,总能量为 SEMICONDUCTOR e=E +e METAL 半导体 E(x)=-q④s(x) 金属 16兀Ex§6.2 实际肖特基势垒高度的调制 6.2.1 M/S中的镜像力和镜像力引起的势垒降低 假设在不考虑镜像力时，电子的能量为： 其中EC(x)是导带在x的能量（ 势能）。根据电势叠加原理， 考虑镜像力引起的能量因素后 ，总能量为： 金属 半导体 镜像势 xExExqE )()()( s = Φ− S = C = i = + EEE sim x q xqxE Si S 16πε )()( 2 −Φ−=