§6.2实际肖特基势垒高度的调制 621M/S中的镜像力和镜像力引起的势垒降低 镜像势极 镜像势极值点处在半导体内部,其位置和大小 大点xm由下式决定: dE(x)i dx =Im =0 m=q 16tesi5m 其中表示电场 dEc( dx 势垒降镜像势引起的势垒降低量下式决定: 低量 q5 ATE Si 上面的结果导致在反向偏置下势垒有所降低而在正向 偏置下略有增大,通常4④φ很小,△d≈25-50mV 但它和φ成指数关系,因而不可忽略§6.2 实际肖特基势垒高度的调制 6.2.1 M/S中的镜像力和镜像力引起的势垒降低 镜像势极 大点xm 势垒降 低量 镜像势极值点处在半导体内部，其位置和大小 由下式决定： 其中 ξ 表示电场 上面的结果导致在反向偏置下势垒有所降低而在正向 偏置下略有增大，通常Δφ 很小， 但它和φB 成指数关系，因而不可忽略。 镜像势引起的势垒降低量下式决定： mSi m q x 16 ξπε = = 0/)( =xx m dxxdE Δφ ≈ − 5025 mV m Si m x q 2 4 =Δ = πε ξ φ xx m C m dx xdE = = )( ξ