§6.,2实际肖特基势垒高度的调制 622MS接触中的界面(表面)态及其对势垒高度的调制 前面所说的功函数差指的是理想的金属半导体二极管情形。 实际上,MS界面态(Si表面态)往往也会影响肖特基特性。 Si= Si= Si= si- 表面态的存在使得接触界面处产生界 面电荷陷阱作用(和前面考虑的产生一复 E号)51=51=81=8=合中心相似),影响表面势和势垒高度, 窃si=Si=Si=Si 费米能级E可能会偏移理想情况。界面 陷阱态可分为施主和受主型两类: Si- Si Si Si 施主型:有电子填充时为电中性,无电子 表面 体内 填充时带正电; 练习题:在Si表面存在表面态,受主型:无电子填充时为电中性,有电子 其能级位于禁带中距导填充时带负电; 处,画出其平衡能带图§6.2 实际肖特基势垒高度的调制 6.2.2 M/S接触中的界面（表面）态及其对势垒高度的调制 前面所说的功函数差指的是理想的金属半导体二极管情形。 实际上，M/S界面态（Si表面态）往往也会影响肖特基特性。 表面态的存在使得接触界面处产生界 面电荷陷阱作用（和前面考虑的产生－复 合中心相似），影响表面势和势垒高度， 费米能级 Ef可能会偏移理想情况。界面 陷阱态可分为施主和受主型两类： 施主型：有电子填充时为电中性，无电子 填充时带正电； 受主型：无电子填充时为电中性，有电子 填充时带负电； 练习题：在Si表面存在表面态， 其能级位于禁带中距导带1/3Eg 处，画出其平衡能带图