MOSFET栅电极功函数选择 92 Ec =4s- x-CA）+24, Cox Cox E 衬底费米势中n的定义是 g(VG-VFB) 4。-红nX0 gorp 9 n 在典型的衬底杂质浓度下，中的 绝对值约为0.3V。 O=-qNAXmx=-(4qE Np) 1012 第三项和第四项是正的，当Qox较 小时，第一项必须是负的，保证VT 1011 为正值同时阈值电压合适。 结论：n-MOSFET采用N+多晶硅 1010 栅；p-MOSFET采用P+多晶硅栅 1014 1015 1016 1017 N(cm)OX A Fp T MS Fp OX OX (2 )     2 Q Q V C C    在典型的衬底杂质浓度下，￾Fp的 绝对值约为0.3V。 衬底费米势￾Fp的定义是 A Fp i  ln  0 kT N q n  MOSFET栅电极功函数选择 1 2 A A dmax s A Fp Q  qN x  (4q N  ) 第三项和第四项是正的 ，当QOX较 小时，第一项必须是负的，保证VT 为正值同时阈值电压合适。 结论：n-MOSFET 采用N+多晶硅 栅；p-MOSFET 采用P+多晶硅栅