目前的一些研究对象: 製意蟲告簽覆绿置晋薏锈￥) GaAs/AlGaAs/GaIn PIn GaAs/InP/InAlAs, Si/SiGe= (5)HEMT(High electron mobility transistor 把色答汽艺松镇数的使霞铁光 源,白光LED是继白炽灯和日光灯之后的 第三代电光源 主要集中在GaN基pn结研究上,例如 AlGaInN/GaN 3.GaAs或nP基半导体激光器,这主要用于通信技术。在 1.25-1.65m范围内,现在主要的异质结激光器是 GaInAsp or algaInAs/nP,而对子 GaInNAs/GaAs发 射频率已做到1521m,.用改进的 GaInNAssb/GaAs异质结 激光器发射频率达到1.49μm,发射功率为02mA/u 4制备太阳能电池,例如zno/n-Si目前的一些研究对象： ❖ 1.制备电子器件：(1)开关器件(2)整流器件SiC基异质材料(3) 场效应晶体管(4)异质结双极晶体管(HBT)主要应用材料为 GaAs/AlGaAs/GaInP,InGaAs/InP/InAlAs,Si/SiGe等 (5)HEMT(High electron mobility transistor) ❖ 2.制备发光二极管：(1)异质结发光二极管，异质结构为 CdTe/PS，ZnS/ps等 (2)制备新型的发光设备取代传统光 源，白光LED是继白炽灯和日光灯之后的第三代电光源 ， 主要集中在GaN基pn结研究上，例如AlGaInN/GaN。 ❖ 3. GaAs或InP基半导体激光器，这主要用于通信技术。在 1.25—1.65 μm范围内，现在主要的异质结激光器是 GaInAsP or AlGaInAs/InP，而对于GaInNAs/GaAs,发 射频率已做到1.52μm, 用改进的GaInNAsSb/GaAs异质结 激光器发射频率达到1.49 μm，发射功率为0.2mA/ μm 2 。 ❖ 4.制备太阳能电池，例如ZnO/n-Si