§71半导体激光器的工作原理 Iv.速率方程 注入电流密度 dn RsS d有源区厚度 电子的自发辐射 复合寿命 光子寿命 as Rs+ R.受激辐射速率 ph R1=(c/n2)G 稳态解 ∠Jth S=0→、edn (2)J< J,h but n=nb→J=2h 3)J<Jand受激辐射占主导地位→G=1("a) phIV. 速率方程 §7.1 半导体激光器的工作原理 R s n ed J dt dn sp = − − st  sp ph n s R s dt ds   = st + − J 注入电流密度 d 有源区厚度 sp  电子的自发辐射 复合寿命 sp  光子寿命 Rst 受激辐射速率 Rst = (c / nR )G 稳态解 (1) th J  J s = 0 sp ed n J  = (2) th J  J th n = n sp th edn J  but = (3) th J  J th R ph G c n G = ( ) = 1  and 受激辐射占主导地位