2、N沟道增强型MOS管的工作特点为: 栅极电压VGs小于开启电压Vcs(th)时,无沟道形 成,漏极电流D为0。VDs爱多大多大!(截止区) 栅极电压VGs大于等于开启电压vGs(th)时,沟道形 成,有I形成,分两种情况: a、VDs较大,大于ⅤGS-Vcs(血),D随vGs的 增加而增加。VDs已使I饱和,没什么影响了。 (饱和区) b、VDs较小,小于VGs-Ⅴes(th),D随Gs的 增加也增加,但与ⅴDs的大小密切相关。或者 也可以这样说:对某一VGs,D随VDs线性增加, 且Vs越大,斜率越大,等效电阻越小。 非饱和区or可调电阻区)2、 N沟道增强型MOS管的工作特点为： • 栅极电压VGS小于开启电压VGS（th）时，无沟道形 成，漏极电流ID为0。VDS爱多大多大！（截止区） • 栅极电压VGS大于等于开启电压VGS（th）时，沟道形 成，有ID形成，分两种情况： a、VDS较大，大于VGS — VGS（th），ID随VGS的 增加而增加。VDS 已使 ID 饱和，没什么影响了。 （饱和区） b、VDS较小，小于VGS — VGS（th），ID随VGS的 增加也增加，但与VDS的大小密切相关。 或者 也可以这样说：对某一VGS，ID随VDS线性增加， 且VGS越大，斜率越大，等效电阻越小。 （非饱和区 or 可调电阻区）