发射极耦合逻辑(ECL)门 了解基本原理 主要特点: ECL门的优点是速度快,因为它不用饱和态 另一优点是工作电流平稳,没有动态尖峰。 ECL门的缺点是高、低电平太接近(约0.8V) 抗干扰能力差。另一个缺点是功耗较大
三、 发射极耦合逻辑(ECL)门 了解基本原理 主要特点: • ECL 门的优点是速度快,因为它不用饱和态。 另一优点是工作电流平稳,没有动态尖峰。 • ECL 门的缺点是高、低电平太接近(约0.8V) 抗干扰能力差。另一个缺点是功耗较大
R1|元 -0.9V -0.8V B M1-1.6 0.8V Q -1.6V -1.61-1.67 P 1.5V 网U网2U风 (-5V) 图3-3-1ECL门电路
附:集成注入逻辑(I2L) 也叫合并型晶体管逻辑(MTL),其优 点是以恒流源供电的非门为基本单元,电路 结构简单,集成度高、功耗较低,延迟小, 速度快 缺点是髙低电平摆幅较小,约0.6V,抗 干扰能力差
附:集成注入逻辑(I 2L) 也叫合并型晶体管逻辑(MTL),其优 点是以恒流源供电的非门为基本单元,电路 结构简单,集成度高、功耗较低,延迟小, 速度快。 缺点是高低电平摆幅较小,约0.6V,抗 干扰能力差
RE A I T 外部 图3-3-2PL电路
Ccc -C1 5 B B E (a) 图3-3-3多集电极L电路
A+B ① B B A+B 图3-3-4L逻辑门举例
四、MOS逻辑 MOS型电路是另一种常用电路,MOS意为金属一氧 化物半导体(Meta- Oxide semiconductor) (一)、MOS晶体管 晶体三极管有:E发射极B基极C集电极 机理是:基极电流B控制集电极电流IC。 结构有: NPN PNP MOS三极管有:S源极G栅极D漏极 机理是:栅极电压VG控制漏极电流I 结构有:N沟道P沟道 MOS管的标准符号 和简化符号都要会
四、 MOS逻辑门 MOS型电路是另一种常用电路,MOS意为金属—氧 化物半导体(Metal-Oxide Semiconductor) (一)、MOS晶体管 晶体三极管有:E发射极 B基极 C集电极 机理是:基极电流IB 控制集电极电流IC。 结构有: NPN PNP MOS三极管有: S源极 G栅极 D漏极 机理是: 栅极电压VG控制漏极电流ID 结构有: N沟道 P沟道 MOS管的标准符号 和简化符号都要会
MOS管除分N沟道、P沟道外,还分增强型和耗尽型。 增强型栅压为0无沟道,耗尽型栅压为0也有沟道。 l、MOS管的基本结构以N沟道增强型为例 源、漏极结构对称,可以互换使用 S Sio2 D P-Si S (a)结构示意图 (b)符号 图3-4-1N沟道增强型MOs管
MOS管除分N沟道、P沟道外,还分增强型和耗尽型。 增强型栅压为0无沟道,耗尽型栅压为0也有沟道。 1、MOS管的基本结构 以N沟道增强型为例 源、漏极结构对称,可以互换使用 P衬 P型衬底,N型沟道
2、N沟道增强型MOS管的工作特点为: 栅极电压VGs小于开启电压Vcs(th)时,无沟道形 成,漏极电流D为0。VDs爱多大多大!(截止区) 栅极电压VGs大于等于开启电压vGs(th)时,沟道形 成,有I形成,分两种情况: a、VDs较大,大于ⅤGS-Vcs(血),D随vGs的 增加而增加。VDs已使I饱和,没什么影响了。 (饱和区) b、VDs较小,小于VGs-Ⅴes(th),D随Gs的 增加也增加,但与ⅴDs的大小密切相关。或者 也可以这样说:对某一VGs,D随VDs线性增加, 且Vs越大,斜率越大,等效电阻越小。 非饱和区or可调电阻区)
2、 N沟道增强型MOS管的工作特点为: • 栅极电压VGS小于开启电压VGS(th)时,无沟道形 成,漏极电流ID为0。VDS爱多大多大!(截止区) • 栅极电压VGS大于等于开启电压VGS(th)时,沟道形 成,有ID形成,分两种情况: a、VDS较大,大于VGS — VGS(th),ID随VGS的 增加而增加。VDS 已使 ID 饱和,没什么影响了。 (饱和区) b、VDS较小,小于VGS — VGS(th),ID随VGS的 增加也增加,但与VDS的大小密切相关。 或者 也可以这样说:对某一VGS,ID随VDS线性增加, 且VGS越大,斜率越大,等效电阻越小。 (非饱和区 or 可调电阻区)
用输出特性曲线说明三个区的情况: ps=UGS-VGS( N DS (I)饱和区 非饱和区 Ucs>0 (I)截止区 UpS 图3-4-2N沟道增强型MOS管输出特性曲线
用输出特性曲线说明三个区的情况: