实验结果表明 温度每升高10℃，I、约增加一倍： 温度每升高1℃，Vom约减小2.5mV。 当温度进一步升高时，热平衡少子浓度进一步增加。 在极端的情况下，本征激发占支配地位，杂质半导体就变得 与本征半导体相似，PN结也就不存在了。 PN结受最高工作温度的限制： 硅为150℃一200℃ 锗为75℃一100℃ 四、PN结的击穿特性： 温度每升高10℃，I S 约增加一倍； 温度每升高1℃，VD(on) 约减小2.5mV。 当温度进一步升高时，热平衡少子浓度进一步增加。 在极端的情况下，本征激发占支配地位，杂质半导体就变得 与本征半导体相似，PN结也就不存在了。 PN结受最高工作温度的限制： 硅为 150℃ —200℃ 锗为 75℃ —100℃ 四、PN结的击穿特性： 实验结果表明