第宄章基本咒刻工艺--从曝到最终裣验 棚概述 在本章中,将介绍从显影到最终检验所使用 的基本方法。还涉及掩膜版工艺的使用和定位错 误的讨论 9.1显影 晶园经过曝光后,器件或电路的图形被以曝光 和未曝光区域的形式记录在光刻胶上。通过对未 聚合光刻胶的化学分解来使图形显影。通过显影 完成掩膜版图形到光刻胶上的转移(如图所示)。 不良显影:不完全显影显影不足严重过显影。第九章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －1－ ◼ 概述 在本章中，将介绍从显影到最终检验所使用 的基本方法。还涉及掩膜版工艺的使用和定位错 误的讨论。 9.1 显影 晶园经过曝光后,器件或电路的图形被以曝光 和未曝光区域的形式记录在光刻胶上。通过对未 聚合光刻胶的化学分解来使图形显影。通过显影 完成掩膜版图形到光刻胶上的转移（如图所示）。 不良显影：不完全显影 显影不足 严重过显影