质（杂质）浓度引起的电阻（与温度无关），用下式表示： R=R(T)+R' (2-1) 式中R(T)为与温度有关的金属基本电阻，即溶剂金属（纯金属）的电阻：R'为决定于化学缺陷 和物理缺陷而与温度无关的残余电阻。， 在液氮温度以上，R(T)>R',因此有R≈R(T)。例如，铂的德拜温度⊙。为225K,在63K 到室温的范围内，它的电阻R≈R(T)近似地正比于温度T。然而，稍许精确的测量就会发 现它们偏离线形关系，如图2-2所示。 在液氮正常沸点到室温温度范围内，铂电阻温度计具有良好的线形电阻温度关系，可表 示为 R(T)=AT+B 或 T(R)=aR+b 其中A、B和a、b是不随温度变化的常量。因此，根据我们给出的铂电阻温度计在液氮正常 沸点和冰点的电阻值，可以确定所用的铂电阻温度计的A、B和、b的值，并由此可得到用 铂电阻温度计测温时任一电阻所相应的温度值。另外，A、B和a、b还与铂的型号有关，不 同型号的铂，对应的A、B和a、b的值不同。 在合金中，电阻主要是由杂质散射引起的，因此电子的平均自由程度对温度的变化很不 敏感，如锰铜的电阻随温度的变化就很小，实验中所用的标准电阻和电阻加热器就是用锰铜 线绕制而成的。 10 /3 日 器 40 30 R 铂 R(0°C)=50?10 102030405060708090 T/K 图2-2铂电阻的温度关系 图2-3半导体锗的电阻温度关系 3、半导体电阻以及P结的正向电压随温度的变化 半导体具有与金属很不相同的电阻温度关系。一般而言，在较大的温度范围内，半导体 具有负的温度系数。半导体导电的机制比较复杂，电子和空穴是致使半导体导电的粒子，则 除了本征激发外，还有所谓的杂质激发也能产生载流子，因此具有比较复杂的电阻温度关系。 如图2-3所示，锗电阻温度计的电阻温度关系可以分为四个区。在I区中，半导体本征激发 占优势，它所激发的载流子的数目随着温度的升高而增多，使其电阻随着温度的升高而指数 3939 质(杂质)浓度引起的电阻(与温度无关)，用下式表示： R=R(T)+ R (2-1) 式中 R(T)为与温度有关的金属基本电阻，即溶剂金属(纯金属)的电阻；R为决定于化学缺陷 和物理缺陷而与温度无关的残余电阻。r 在液氮温度以上，Ｒ(T)>> R，因此有Ｒ≈Ｒ(T)。例如，铂的德拜温度ΘD为 225Ｋ，在 63K 到室温的范围内，它的电阻Ｒ≈Ｒ(T)近似地正比于温度 T。然而，稍许精确的测量就会发 现它们偏离线形关系，如图 2-2 所示。 在液氮正常沸点到室温温度范围内，铂电阻温度计具有良好的线形电阻温度关系，可表 示为 R（T）＝AT＋B 或 T（R）＝aR＋b 其中 A、B 和 a、b 是不随温度变化的常量。因此，根据我们给出的铂电阻温度计在液氮正常 沸点和冰点的电阻值，可以确定所用的铂电阻温度计的 A、B 和 a、b 的值，并由此可得到用 铂电阻温度计测温时任一电阻所相应的温度值。另外，A、B 和 a、b 还与铂的型号有关，不 同型号的铂，对应的 A、B 和 a、b 的值不同。 在合金中，电阻主要是由杂质散射引起的，因此电子的平均自由程度对温度的变化很不 敏感，如锰铜的电阻随温度的变化就很小，实验中所用的标准电阻和电阻加热器就是用锰铜 线绕制而成的。 图 2-2 铂电阻的温度关系 图 2-3 半导体锗的电阻温度关系 3、半导体电阻以及 PN 结的正向电压随温度的变化 半导体具有与金属很不相同的电阻温度关系。一般而言，在较大的温度范围内，半导体 具有负的温度系数。半导体导电的机制比较复杂，电子和空穴是致使半导体导电的粒子，则 除了本征激发外，还有所谓的杂质激发也能产生载流子，因此具有比较复杂的电阻温度关系。 如图 2-3 所示，锗电阻温度计的电阻温度关系可以分为四个区。在Ⅰ区中，半导体本征激发 占优势，它所激发的载流子的数目随着温度的升高而增多，使其电阻随着温度的升高而指数