入7 内建电场E 在忽略引线电阻，P区、N区体电阻时，即外加电压将全 部加在PN结上，由于外加电压与内建电位差的极性相反，因 而阻挡层两端的电位差，由VB减小到(VB-V)。 结果：阻挡层宽度减小，即1<1。两侧的离子电量减少，扩 散运动增强，打破了扩散和漂移的动态平衡，此时ID>I7这 样P区中多子空穴将源源不断的通过阻挡层扩散到N区，成为N 区中的非平衡少子，建立如图所示的少子浓度分布图。在忽略引线电阻，P区、N区体电阻时，即外加电压将全 部加在 PN结上，由于外加电压与内建电位差的极性相反，因 而阻挡层两端的电位差，由VB减小到(VB -V)。 V + P N 内建电场E 结果： 阻挡层宽度减小，即 l < l o 两侧的离子电量减少，扩 散运动增强，打破了扩散和漂移的动态平衡，此时 ID > IT 这 样P区中多子空穴将源源不断的通过阻挡层扩散到N区， 成为N 区中的非平衡少子，建立如图所示的少子浓度分布图