·250 北京科技大学学报 2001年第3期 验机加载后至压痕为200nm时卸载，同时记录 的，“”代表的斑点是由SiC孪晶衍射产生的. 加载及卸载过程中的载荷一位移曲线，经计算 仔细观察，还可发现SiC颗粒中经常存在黑色 机分析输出硬度结果. 小质点，该质点位于SiC颗粒晶界处，经EDS和 电子衍射证明为MoSiz,这同光学显微镜和SEM 2结果与讨论 的观察结果一致.图3中M代表-SiC基体，SF 透射电镜以及高分辨电镜的研究结果表 代表堆垛层错，T代表孪晶 明，基体MoSi2中有较多的位错，而且尤以MoSi, 与SiC的界面处位错最为集中（图I).除位错外， MoSi,中很少存在其他形式的晶体缺陷.SiC颗 粒的内部缺陷的主要形式为孪晶和层错，在SC 颗粒内部经常可观察到大量孪晶和层错（图2， 图3)，图2为SiC孪晶形貌及其电子衍射花样. 300m 图3SiC中的层错()和李晶b)的REM原子像 图1MoSL中的位错 Fig.3 HREM images of stacking faults (a)and twins(b) Fig.ITEM morphology of dislocation in the matrix MoSi. in the particle Sic (a) 在原位合成复合材料制备的冷却过程中， 由于MoSi,基体与SiC颗粒之间存在着热膨胀 系数的差异而在界面处产生较大的残余应力， 导致SiC颗粒周围产生位错及SiC颗粒中的孪 晶及层错，以协调变形松弛应力. 界面附近的纳米力学探针试验的测定结果 表明（图4），在界面附近，显微硬度随距离有着 明显的梯度变化，从MoSi/SiC界面延伸至 120nm MoSi2基体中，经过一定的距离后MoSi基体内 () 的显微硬度值逐渐衰减到常量.随着MoSi,体 11 111×111 积分数的增加，这种特征愈加明显.这反应了因 热应力造成的应力场所导致的材料硬度的分布 11 规律，进而从另外一个角度验证了上述结论. E=[1I01wI1o], 2.1MoSi,基体中位错缺陷的形成 MoSi,和陶瓷一样在室温下很难通过塑性 变形产生位错，通常表现为脆性断裂.但在材料 图2SC中的李晶形貌及电于衍射花样.(a)明场像；() 高温制备过程中很可能引入位错.由于MoSi2 电子衍射谱；（⊙）衍射请标定 基体和SC颗粒之间的热膨胀系数相差较大 Fig.2 TEM morphology of twins in the particle SiC(a) (1000℃，as-=9.5×10-K-,asc=5.4×10-K-1y回， and EDPS(b),(c) 图2(c)中“，”代表的斑点是由基体SiC衍射产生 致使在热压烧结冷却过程中在SiC颗粒和周围 MoSi,基体之间产生随温度下降而增大的残余